NCE80TD65BT - мощные IGBT транзисторы (650В, 80А, TO-247) - оригинал NCE
NCE80TD65BT — мощный IGBT-транзистор Wuxi NCE Power Semiconductor с Trench FS II технологией и встроенным быстрым обратным диодом. Datasheet производителя указывает напряжение VCES 650 В, постоянный ток коллектора 160 А при температуре корпуса Tc=25 °C и 80 А при Tc=100 °C (по этой причине в наименовании стоит 80 А), импульсный ток до 240 А, рассеиваемую мощность 390 Вт при Tc=25 °C, VCE(sat) около 1,7 В при IC=80 А, VGE=15 В; корпус TO-247. Предназначен для приводов, сварочных преобразователей и силовых инверторов.
Предложение: новые компоненты выпуска 2023 года, прямая поставка, цена 178 ₽/шт., включая НДС 5%. Ранее учтённый отрицательный остаток −15 шт. не изменён, потому что поступления новой партии не проводилось. Логистический вес 7 г/шт. сохранён.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | NCE Power |
Part Number | NCE80TD65BT |
Тип транзистора | Trench FS II IGBT |
Функциональная категория | БТИЗ IGBT |
Технические параметры | |
Напряжение (Umax) | 650 В |
Максимальный ток (Imax) | 160 А @Tc25 / 80 А @Tc100 |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Функциональная характеристика | 650 В; 160/80 А при Tc25/100; TO-247 |
Функциональный тип | Trench FS II с обратным диодом |
Расположение на складе | |
Примечание | 2023 новая партия, 178 ₽ с НДС 5%; старый остаток −15 шт. оставлен без изменений. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 80 А |
Условия характеристики тока | 160 А при Tc25 °C, 80 А при Tc100 °C; Ptot 390 Вт при Tc25 °C |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 160 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 390 Вт |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
