NGTB10N60FG - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, , TO-220F-3) - оригинал onsemi
NGTB10N60FG — силовой транзистор БТИЗ (IGBT), производитель onsemi. Схема: дискретный IGBT; характеристики диода уточняются по datasheet. Исполнение: TO-220F-3. Напряжение VCES/VRRM: 600 В. Ток и температурные условия требуют подтверждения по datasheet. Проверять выводы, терморежим, коммутационные потери, VCE(sat), Eon/Eoff и условия измерения.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку NGTB10N60FG или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023236.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220F-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | NGTB10N60FG |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | дискретный IGBT; характеристики диода уточняются по datasheet; TO-220F-3 |
Функциональный тип | дискретный IGBT; характеристики диода уточняются по datasheet |
Расположение на складе | |
Примечание | Непроверенные параметры не заполняются; datasheet обязателен для точного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
