RJP63K2 - IGBT транзистор в планарном исполнении (630В, 35А, TO-263) - не оригинал!

Мощные IGBT(БТИЗ) транзисторы RJP63K2 в корпусе TO-263 с напряжением до 630 Вольт и током до 35 Ампер.

IGBT транзисторы имеют свойства и биполярных, и полевых транзисторов. Они образовались при совмещении их структур.

Краткие характеристики

• Полное наименование: RJP63K2 IGBT транзистор
• Максимальное напряжение VCES: 630 Вольт
• Максимальный ток коллектора IC: 35 Ампер
• Максимальная мощность: 25 Ватт
• Максимальная температура: 150°C
• Тип корпуса: TO-263

В datasheet БТИЗ транзисторов RJP63K2 содержатся более подробные характеристики.

Распиновка и внешний вид 

Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора RJP63K2

Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса IGBT транзисторов RJP63K2

Гарантии

IGBT транзисторы RJP63K2 доставляются прямо с производственных линий. Заводские коробки приходят запечатанными, а их вскрытие можно проконтролировать, ознакомившись с соответствующими видеозаписями на нашем youtube-канале.

Оптовые поставки

Мы производим прямые поставки от производителя, что позволяет нам делать автоматические скидки на оптовые покупки оригинальных IGBT транзисторов RJP63K2.

Мы предлагаем самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.

Более чем за 10 лет, благодаря осуществлению больших закупок, мы вышли на соответствующий уровень. И рады вам предложить доступные расценки.

Оптовая поставка идет в каждом ежемесячном контейнере.

Окончательная цена формируется для каждого индивидуально.

Доставка

Доставка осуществляется по всей России.

Оригинальные IGBT транзисторы RJP63K2 будут доставлены быстро. Скорость доставки зависит от того заказ срочный (от 2 до 7 рабочих дней,) или обычный (от 5 до 10 дней).

Какой транспортной компанией будет выполнена отправка вы выбираете сами. Отметим, что в числе прочего можно выбрать Почту России.