SGB07N120 - транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, TO-263-3-2) - оригинал Infineon
SGB07N120 — дискретный IGBT производства Infineon Technologies. Напряжение коллектор–эмиттер VCE: 1200 В. Корпус: TO-263-3-2. Технология/семейство: NPT. Типичные области применения: высоковольтные преобразователи для монтажа на печатную плату. Для выбора аналога сверяют наличие обратного диода, VCE(sat), энергию переключения Eon/Eoff, заряд затвора, тепловое сопротивление, допустимую температуру перехода и цоколёвку.
Справочный источник: https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/60/49/infineon-sgb07n120-ds-en.pdf
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-263-3-2 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | SGB07N120 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | дискретный IGBT |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В; TO-263-3-2; NPT |
Функциональный тип | дискретный IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические и тепловые параметры зависят от условий измерения; совместимость проверяют по заводскому datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
