SKM100GAL12T4 - модуль силовой IGBT: 1-транзистор c 1-обратным + 1-CAL4F диодами (1200В, 100А, 94х34х30.1мм, SEMITRANS 2) - оригинал SEMIKRON

SKM100GAL12T4 - модуль силовой IGBT: 1-транзистор cо встроенными: 1-обратным + 1-CAL4F диодами (максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±20В/типовое пороговое 5.8В, постоянный ток коллектор-эмиттер 100А/максимальный 160А/300А_импульсный, макс. падение напряжения Uкэ=2.4В/при Iк=100А_Т=150°С и Rкэ=16мОм, встроенный затворный резистор; время задержки включения/выключения_165нс/400нс}, изолированная медная подошва для радиатора с винтовым креплением 2хМ5, -40°С÷125°С, 5 выводов {2QC + 3 силовых Screw_М6}, 94х34х30.1мм, SEMITRANS 2) - оригинал SEMIKRON