SKW25N120 - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (1200 В, 25 А, TO-247-3) - оригинал Infineon
SKW25N120 — одиночный силовой IGBT с изолированным затвором производства Infineon Technologies. Класс напряжения 1200 В. Класс тока по обозначению серии — 25 А; максимальный непрерывный Ic при Tc=25 °C и Tc=100 °C требует проверки по документации конкретного исполнения. Корпус: TO-247-3. Силовой биполярный транзистор с изолированным затвором для преобразования электрической энергии. Основные области применения: Высоковольтные инверторы, промышленные UPS, преобразователи солнечной энергетики и сварочное оборудование. Для замены важны VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, тип обратного диода, распиновка и параметры охлаждения. В реальной схеме проверяйте параметры драйвера и допустимые температуры; изделия с похожими напряжением и током не обязательно взаимозаменяемы.
Перед использованием следует проверить актуальный datasheet полного P/N в официальном каталоге Infineon.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | SKW25N120 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2002+ |
Тип упаковки | Tube |
Количество в упаковке | 240шт. |
Тип транзистора | силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 6 г |
Функциональная характеристика | 1200 В, 25 А, TO-247-3 |
Функциональный тип | одиночный силовой IGBT с изолированным затвором |
Расположение на складе | |
Примечание | Электрические пределы и исполнение сверять по официальному datasheet. Год и условия поставки согласуются отдельно. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |




































