STGW30NC120HD - мощный IGBT транзистор (1200В, 60А при Tc=25°C, 30А при Tc=100°C (расчёт), TO-247-3, GW30NC120HD) - оригинал ST
Оригинальные мощные IGBT транзисторы с обозначением на корпусе GW30NC120HD, применяются в силовой схемотехнике и сварочных аппаратах. Позволяют оперировать напряжением до 1200 вольт и током до 60 ампер. Корпус выполнен по стандарту ТО-247 с тремя выводами.
Поставляется по прямой закупке у производителя совместно с другими БТИЗ транзисторами - благодаря этому мы уверены в оригинальности транзисторов.
К сожалению, в настоящее время транзисторы STGW30NC120HD являются очень дефицитными (по состоянию на третий квартал 2022 года), предзаказы на поставку составляют от 8 недель.
Текущая партия 2014 года выпуска. Под заказ осуществляется поставка современных версий, но цена и сроки ожидания будут значительными.
На фотографиях реальное изображение транзисторов текущей партии.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | STMicroelectronics |
Part Number | STGW30NC120HD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2015 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж "ТРАНЗИСТОРЫ", полка "IGBT", ячейка В-15 |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 30 А |
Условия характеристики тока | Расчётный предельный постоянный ток коллектора по паспорту ST: 60 А при Tc = 25 °C и 30 А при Tc = 100 °C. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 60 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 220 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -25 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 25 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2.2 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.75 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 20 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.57 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 110 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 960 В; VGE = 15 В; IC = 20 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 2510 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3.75 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 5.75 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VCE = VGE; IC = 250 мкА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
