TIP42C биполярный PNP транзистор (100В, 6А, 65Вт, TO-220)-оригинал ON
Заслужившие народную популярность биполярные транзисторы структуры PNP в корпусе ТО-220 производства компании ON Semiconductor.
Для транзистора TIP42C имеется комплементарная пара: TIP41C
Применяются в широком спектре радиоэлектронной схемотехнике, в том числе аудиоусилителях, цепях коммутации и силовых цепях.
Сканирование изображения транзисторов текущей партии:
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Полное наименование | TIP42CTU |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | TIP42C |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2018 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Тип транзистора | Биполярный |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 3 г |
Расположение на складе | |
Условия характеристики тока | Предел постоянного тока коллектора 6 А; отдельный предел при Tc = 100 °C в паспорте не указан. Учитывайте область безопасной работы. |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 100 В |
Структура транзистора / тип канала | PNP |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 15 |
Коэффициент усиления hFE (макс.) | 75 |
Условия измерения hFE | Tc = 25 °C; VCE = −4 В; IC = −3 А; импульс ≤ 300 мкс, заполнение ≤ 2%. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 100 В |
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.) | 5 В |
Граничная частота fT (мин.) | 3 МГц |
Условия измерения fT | Tc = 25 °C; VCE = −10 В; IC = −0,5 А; f = 1 МГц. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 1.5 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Модуль; Tc = 25 °C; IC = −6 А; IB = −0,6 А; импульс ≤ 300 мкс, заполнение ≤ 2%. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.) | 6 А |
Импульсный ток коллектора |ICM| (макс.) | 10 А |
Условия импульсного тока коллектора | Пиковый ток; допустимые длительность и режим — по SOA в паспорте. |
Рассеиваемая мощность при Ta = 25 °C (макс.) | 2 Вт |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 65 Вт |
Условия рассеиваемой мощности | 2 Вт при Ta = 25 °C; 65 Вт при Tc = 25 °C. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
