TK62N60W5 мощный N-канальный полевой MOSFET транзистор (600В, 61.8А, 400Вт, TO-247) - оригинал TOSHIBA
Оригинальные N-канальные полевые MOSFET транзисторы TK62N60W5 в корпусе TO-247. Рассчитаны на напряжение до 600В и ток не более 61.8А.
Краткие характеристики
- Полное наименование: TK62N60W5 полевой транзистор
- Максимальное напряжение VDSS: 600 Вольт
- Максимальный ток стока ID: 61.8 Ампер
- Максимальная мощность PD: 400 Ватт при Тc=25°C
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-247
Более подробные характеристики полевого транзистора изложены в его datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов полевого транзистора TK62N60W5
Рис. №2 Типовые размеры и форма корпуса полевых транзисторов TK62N60W5
Гарантии
Оригинальные транзисторы TK62N60W5 по официальной поставке с производственной линии. Вскрытие заводских коробок зафиксировано на видео: запись размещена на нашем YouTube‑канале.
Фасовка
Форма поставки:
30 штук транзисторов в пластиковой рейке
210 штук в коробке (7 реек)
Оптовые поставки
Для покупающих полевые транзисторы TK62N60W5 оптом в нашем магазине действуют автоматические скидки. Также у нас очень лояльные цены на оптовые покупки для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Мы обсуждаем с каждым нашим клиентом окончательную стоимость индивидуально.
Наша компания свыше 10 лет делает больше закупки. Мы вышли на уровень, когда можем предлагать для наших покупателей низкую стоимость.
Оптовая поставка имеется в составе каждого ежемесячного контейнера.
Доставка
Мы принимаем заказы со всей России: доставка возможна в любой регион страны.
Отправка полевых транзисторов TK62N60W5 производится выбранной вами транспортной компанией, причем возможна и Почтой России.
От 2 до 7 рабочих дней идет срочный заказ. От 5 до 10 дней – обычный.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | TOSHIBA |
Part Number | TK62N60W5 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2022 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | пластиковая антистатичная рейка |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 210 штук в коробке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 6 г |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 4 |
Примечание | Бокс "Полевые -1-5-" |
Условия характеристики тока | Постоянный ток стока 61,8 А при Ta = 25 °C; отдельный предел при Tc = 100 °C паспорт не задаёт. Соблюдайте ограничение температуры перехода. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 600 В |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 247 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -30 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 30 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 45 |
Условия измерения RDS(on) | Ta = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 30,9 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 3 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4.5 В |
Условия измерения VGS(th) | Ta = 25 °C; VDS = 10 В; ID = 3,1 мА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 205 |
Условия измерения Qg | Ta = 25 °C; VGS = 10 В; VDD ≈ 400 В; ID = 61,8 А; типовое значение. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.313 |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 400 Вт |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 6500 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Ta = 25 °C; VDS = 300 В; VGS = 0 В; f = 100 кГц; типовое значение. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
STW70N60DM2 мощный N-канальный полевой MOSFET транзистор (600В, 66А, TO-247) - оригинал STMicroelect
IXFH60N65X2 мощный N-канальный полевой MOSFET транзистор (650В, 60А, 780Вт, TO-247) - оригинал IXYS
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip
ESAD92-02 - ультрабыстрая диодная сборка с общим катодом (200В, 2*10А, TO-3P, D92-02) - оригинал Fuji
TK16A60W - N-канальный полевой MOSFET транзистор (600В, 15.8А, TO-220SIS, K16A60W) -оригинал Toshiba
STTH60P03SW - сверхбыстрый мощный диод (300В, 60А, TO-247) - оригинал STM
