КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Все категории

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Все категории

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Все категории

Найти

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

Оставить отзыв

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT для поверхностного монтажа (вход 1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, драйвер IGBT ±0.2А÷±0.8А, время задержки 30нс/500нс, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA

Характеристики

Магазин (на Коммунаров):

"Оптроны -2-"

Part Number:

TLP5701

Оригинал:

Да

Смотреть все

Почта

Самовывоз

Курьер

Бандероль + трек (НЕ СРОЧНО)

Рассчитываем стоимость доставки...

Почта России

Рассчитываем стоимость доставки...

Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)

Рассчитываем стоимость доставки...

Рассчитываем стоимость доставки...

КИТ до терминала

Рассчитываем стоимость доставки...

КСЭ - медленно

Рассчитываем стоимость доставки...

СДЭК Курьер

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Информация от: 23 мая 2026 г.

Артикул: 10131506

В наличии (г.Краснодар): 279 шт

Под заказ ( 2 - 4 недели): 12000 шт

Продано: 121 шт.

70 ₽

включая НДС 5%

Количество:

Быстрый заказ в 1 клик

Оптовые скидки:

От 10 шт	66 руб.
От 100 шт	63 руб.
От 1000 шт	56 руб.

Заказ по телефону:+7-900-272-92-92

Характеристики

Нормаупаковка
Магазин (на Коммунаров)	"Оптроны -2-"
Общая информация
Part Number	TLP5701
Оригинал Оригинальность товара характеризует источник поставки: "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки	Да
Год выпуска Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"	2024
Вес и габариты
Вес изделия	3 г

Отзывы

Ссылки

Наши группы в социальных сетях

Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:

Группа Радиодар в инстаграмме

Группа Китайдар в социальной сети Вконтакте

Группа радиодар в сети Одноклассники

Покупатели, которые приобрели TLP5701(TP,E - оптрон с выходным драйвером IGBT (1.4В÷1.8В/6.5÷10мА, выход: 10В÷30В, IGBT ±0.2А÷±0.8А, SOIC-6L) - оригинал TOSHIBA, также купили

FDPF51N25YDTU - N-канальный полевой транзистор (250В, 51А, TO-220F) - производство VBSEMI

FDPF51N25YDTU - N-канальный полевой транзистор (250В, 51А, TO-220F) - производство VBSEMI

171 ₽

GT30F122 - IGBT транзистор (300В, 120А, TO-220, 30F122) - оригинал Toshiba

GT30F122 - IGBT транзистор (300В, 120А, TO-220, 30F122) - оригинал Toshiba

122 ₽

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

DF9225S12H вентилятор 92*92*25 (12В, 0.3А, 3800) - оригинал XBM

287 ₽

GBJ5010 - мощный диодный мост (1000В, 50А, GBJ) - производство Китай

GBJ5010 - мощный диодный мост (1000В, 50А, GBJ) - производство Китай

53 ₽

GBJ3510 - диодный мост (1000В, 35А, GBJ) - производство SEPWeiwang

GBJ3510 - диодный мост (1000В, 35А, GBJ) - производство SEPWeiwang

53 ₽

JNG20T60HS - транзистор IGBT быстродействующий (600В, затвор-эмиттер ±30В, 20А, 16нс/122нс, 60Вт, TO-247) - оригинал JIAENSEMI

JNG20T60HS - транзистор IGBT быстродействующий (600В, затвор-эмиттер ±30В, 20А, 16нс/122нс, 60Вт, TO-247) - оригинал JIAENSEMI

180 ₽

Диодные мосты

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.