TPCC8131 - P-канальный полевой транзистор (30В, 10А, TSON-8pin) - оригинал Toshiba
Оригинальные малогабаритные полевые транзисторы TPCC8131 для SMD монтажа. Рассчитаны на напряжение до 30В и ток не более 10А.
Краткие характеристики
- Полное наименование: TPCC8131 полевой транзистор
- Максимальное напряжение VDSS: 30 Вольт
- Максимальный ток стока ID: 10 Ампер
- Максимальная мощность PD: 20 Ватт при Тc=25°C
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TSON-8pin
В datasheet транзистора TPCC8131 имеются его более подробные данные.
Распиновка и внешний вид

Рис.№1 Реальное изображение транзисторов текущей партии

Рис.№2 Назначение выводов полевого транзистора TPCC8131

Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса полевых транзисторов TPCC8131
Гарантии
Поставка оригинальных полевых транзисторов для SMD монтажа TPCC8131 напрямую с производственной линии. Вскрытие заводских упаковок записано на видео: увидеть его можно на нашем YouTube-канале.
Оптовые поставки
При оптовой покупке полевых транзисторов TPCC8131 предусмотрены автоматические скидки.
Для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования в нашем магазине – самые выгодные оптовые цены.
Мы вышли на прямые поставки от производителей, благодаря большим закупкам, которые мы осуществляли на протяжении более 10 лет. Этим обусловлены предложения, которые мы делаем нашим покупателям.
В составе контейнера каждый месяц содержатся оптовые заказы.
Окончательные цены для каждого покупателя мы формируем индивидуально.
Доставка
Заказы полевых транзисторов AON7403 доставляются по всей России.
Длительность доставки составляет:
- для обычного заказа – от 5 до 10 дней
- для срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней
Для отправки нужно выбрать одну из транспортных компаний, именно ей и будет доставлен ваш заказ. В списке доступных вариантов есть Почта России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TSON Advance |
Общая информация | |
Полное наименование | Полевой P-канальный транзистор TPCC8131 |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | TOSHIBA |
Part Number | TPCC8131 TSON Advance |
Оригинальное наименование | TPCC8131 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS) |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2016 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | лента, намотанная на бобину |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 5 |
Примечание | Короб с надписью "Полевые -8-" |
Условия характеристики тока | Модуль постоянного тока стока 10 А при Ta = 25 °C; отдельный предел при Tc = 100 °C паспорт не задаёт. Соблюдайте ограничение температуры перехода. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | -30 В |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 30 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -25 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | P-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Условия измерения RDS(on) | Ta = 25 °C; VGS = -10 В; ID = -5 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | -2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | -0.8 В |
Условия измерения VGS(th) | Ta = 25 °C; VDS = -10 В; ID = -0,2 мА. |
Условия измерения Qg | Ta = 25 °C; VGS = -10 В; VDD ≈ -24 В; ID = -10 А; типовое значение. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 6.25 |
RDS(on) при VGS = −10 В (макс.), мОм | 17.6 |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 20 Вт |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 1700 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Ta = 25 °C; VDS = -10 В; VGS = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Заряд затвора Qg при VGS = −10 В (тип.), нКл | 40 |




















































