2SA1943-O(Q) - биполярный PNP транзистор (230В, 15А, 2-21F1A/TO-3PL) - оригинал Toshiba
Мощные биполярные PNP структуры транзисторы. Наиболее часто применяются в звукоусилительной аппаратуре. Является комплиментарной парой для транзистора 2SC5200.
Первая закупка произведена со сборочной линии звуковых усилителей - гарантия и прием претензий по качеству данных транзисторов принимаются только от сертифицированных мастерских, либо от наших постоянных покупателей из числа сервисных центров!!!
Для гарантированной работы после замены транзисторов необходимо производить проверку обвязки!
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3P(L) (2-21F1A) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Toshiba |
Part Number | 2SA1943 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2022 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 20 штук в рейке |
Тип транзистора | биполярный |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 10 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж №1, ряд "биполярные", ячейка "А-14" |
Условия характеристики тока | Модуль предельного тока коллектора 15 А при Ta = 25 °C; предел при 100 °C отдельно не приведён. Учитывайте область безопасной работы. |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 230 В |
Структура транзистора / тип канала | PNP |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 55 |
Коэффициент усиления hFE (макс.) | 160 |
Условия измерения hFE | Ta = 25 °C; VCE = −5 В; IC = −1 А; диапазон обеих групп R и O. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 230 В |
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.) | 5 В |
Граничная частота fT (тип.) | 30 МГц |
Условия измерения fT | Ta = 25 °C; VCE = −5 В; IC = −1 А; типичное значение. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 3 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Модуль; Ta = 25 °C; IC = −8 А; IB = −0,8 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.) | 15 А |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 150 Вт |
Условия рассеиваемой мощности | Рассеиваемая мощность 150 Вт при Tc = 25 °C. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
