2SC5200-O(Q) - биполярный NPN транзистор (230В, 15А, 2-21F1A/TO-3PL) - оригинал Toshiba
Применяемые в усилителях низкой частоты мощные биполярные транзисторы NPN структуры. Являются комплиментарной парой для транзисторов 2SA1943.
Закуплены на официальной сборочной линии продукции звукоусиления - первая партия тестовая - претензии принимаются только от сертифицированных мастерских!!!
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3P(L) (2-21F1A) |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Toshiba |
Part Number | 2SC5200 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2022 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 20 штук в рейке |
Тип транзистора | биполярный |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 10 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж №1, полка "биполярные", ячейка "Б-14" |
Условия характеристики тока | Модуль предельного тока коллектора 15 А при Ta = 25 °C; предел при 100 °C отдельно не приведён. Учитывайте область безопасной работы. |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 230 В |
Структура транзистора / тип канала | NPN |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 55 |
Коэффициент усиления hFE (макс.) | 160 |
Условия измерения hFE | Ta = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 1 А; диапазон обеих групп R и O. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 230 В |
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.) | 5 В |
Граничная частота fT (тип.) | 30 МГц |
Условия измерения fT | Ta = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 1 А; типичное значение. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 3 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Модуль; Ta = 25 °C; IC = 8 А; IB = 0,8 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.) | 15 А |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 150 Вт |
Условия рассеиваемой мощности | Рассеиваемая мощность 150 Вт при Tc = 25 °C. |






















































