APT13GP120BDQ1G - IGBT с диодом (1200 В, 20 А при 100 °C, TO-247) - оригинал Microchip
APT13GP120BDQ1G — силовой IGBT Microchip / Microsemi технологии Power MOS 7 со встроенным быстродействующим антипараллельным диодом. Предельное напряжение коллектор–эмиттер 1200 В, непрерывный ток коллектора 41 А при температуре корпуса 25 °C и 20 А при 100 °C; импульсный предел 50 А. Корпус TO-247 для монтажа на радиатор, применяется в инверторах и импульсных источниках питания. Ток 13 А является обозначением класса изделия, а не абсолютным предельным током при любой температуре.
Запросить поставку
Стоимость не установлена. Запросите у менеджера цену и срок поставки.
Отправить запрос на поставку APT13GP120BDQ1G или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11935214.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Microchip |
Part Number | APT13GP120BDQ1G |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полевой MOSFET N-канальный |
Функциональная категория | IGBT |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 6.9 г |
Функциональная характеристика | IGBT с диодом (1200 В, 20 А при 100 °C, TO-247) |
Расположение на складе | |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 20 А |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 41 А |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
