BC846B,235 - биполярный NPN транзистор (65В, 100мА, h21_200÷450, 100МГц, 250мВт, TO-236AB, 1B*) - оригинал NXP
Оригинальные транзисторы BC846B в корпусе SОТ-23 производства компании Nexperia.
Поставляется в технологической ленте, по 3000 штуки на одной бобине.
Для данного транзистора комплиментарной парой является PNP транзистор BC856B.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | SOT23 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Nexperia |
Part Number | BC846B,235 |
Оригинальное наименование | BC846 series 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2004/2019 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | лента, намотанная на бобину |
Количество в упаковке | 3000 штук на одной бобине |
Тип транзистора | Биполярный |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Короб: Бабины "Mini" |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | Нижняя |
Примечание | Пластиковый контейнер с надписью "Катушки -1-" |
Условия характеристики тока | Предел постоянного тока коллектора 0,1 А; импульс до 0,2 А при длительности не более 1 мс. Отдельный предел при 100 °C в паспорте не указан. |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 65 В |
Структура транзистора / тип канала | NPN |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 200 |
Коэффициент усиления hFE (макс.) | 450 |
Условия измерения hFE | Ta = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 2 мА. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 80 В |
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.) | 6 В |
Граничная частота fT (мин.) | 100 МГц |
Условия измерения fT | Ta = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 10 мА; f = 100 МГц. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 0.4 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Ta = 25 °C; IC = 100 мА; IB = 5 мА; импульс ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2%. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.) | 0.1 А |
Импульсный ток коллектора |ICM| (макс.) | 0.2 А |
Условия импульсного тока коллектора | Одиночный импульс не более 1 мс. |
Рассеиваемая мощность при Ta = 25 °C (макс.) | 0.25 Вт |
Условия рассеиваемой мощности | Ta ≤ 25 °C; плата FR4 с односторонней медью и стандартной посадочной площадкой. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
