BCX56-16.115 - биполярный транзистор (NPN, SOT-89) | Оригинал NXP
100% оригинальные транзисторы BCX56-16 производства корпорации NXP.
Нормаупаковка | |
Оценка внешнего состояния 
Внешний вид товара исходя из 5-бальной оценки: 5 - новый товар 4 - имеются незначительные дефекты (повреждения) 3 - повреждения средней степени 2 - имеются значительные дефекты 1 - деструктивные (фатальные) повреждения, не рабочее | 5 - идеально новый |
Тип корпуса | SOT89 |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | NXP |
Part Number | BCX56-16.115 |
Product Specifications No | BCX56-16 |
Оригинальное наименование | BCX56-16.115 NXP |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2012 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | лента, намотанная на бобину |
Количество в упаковке | 1000 штук на ленте в бабине |
Тип транзистора | биполярный |
Маркировка на корпусе | BL |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 2 |
Примечание | Короб с лейблом "Тр-ры малой мощности -1-" |
Условия характеристики тока | Предел постоянного тока коллектора; в паспорте отдельный предел при 100 °C не указан. Соблюдайте область безопасной работы. |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 80 В |
Структура транзистора / тип канала | NPN |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 100 |
Коэффициент усиления hFE (макс.) | 250 |
Условия измерения hFE | Tamb = 25 °C; VCE = 2 В; IC = 150 мА; tp не более 300 мкс; заполнение не более 2%. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 100 В |
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.) | 5 В |
Граничная частота fT (мин.) | 100 МГц |
Граничная частота fT (тип.) | 180 МГц |
Условия измерения fT | Tamb = 25 °C; VCE = 5 В; IC = 50 мА; f = 100 МГц. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 0.5 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Tamb = 25 °C; IC = 500 мА; IB = 50 мА; импульс не более 300 мкс. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.) | 1 А |
Импульсный ток коллектора |ICM| (макс.) | 2 А |
Условия импульсного тока коллектора | Одиночный импульс не более 1 мс. |
Рассеиваемая мощность при Ta = 25 °C (макс.) | 0.5 Вт |
Условия рассеиваемой мощности | Ta = 25 °C, стандартная площадка FR4: 0,50 Вт. Площадка коллектора 1 см²: 0,95 Вт; 6 см²: 1,35 Вт. |
Наименование модели | BCX56 |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
