КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Все категории

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Все категории

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Все категории

Найти

FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (300В, 35А, до 500Вт, TO-3P) - оригинал ON

Оставить отзыв

FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (300В, 35А, до 500Вт, TO-3P) - оригинал ON

FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (300В, 35А, до 500Вт, TO-3P) - оригинал ON

FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (300В, 35А, до 500Вт, TO-3P) - оригинал ON

FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (300В, 35А, до 500Вт, TO-3P) - оригинал ON

FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (максимум напряжения сток-исток 300В, максимальный ток стока 59А/импульсный 236А, напряжение затвор-исток ±30В/макс. пороговое 5В, сопротивление открытого канала 47÷56мОм/Uзи=10В и Iс=29.5А, типовое время вкл/выкл_140нс/120нс, до 500Вт, -55°C÷150°C, TO-3P) - оригинал ON Semiconductor

Характеристики

Оригинал:

Да

Вес изделия:

7 г

Магазин (на Коммунаров):

Стеллаж транзисторы "Полевые", сота "Г -14-"

Смотреть все

Почта

Самовывоз

Курьер

Бандероль + трек (НЕ СРОЧНО)

Рассчитываем стоимость доставки...

Почта России

Рассчитываем стоимость доставки...

Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)

Рассчитываем стоимость доставки...

ОЗОН - тестовая

Рассчитываем стоимость доставки...

Рассчитываем стоимость доставки...

Рассчитываем стоимость доставки...

КИТ до терминала

Рассчитываем стоимость доставки...

КСЭ - медленно

Рассчитываем стоимость доставки...

СДЭК Курьер

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Информация от: 6 декабря 2025 г.

Артикул: 11006739

В наличии (г.Краснодар): 66 шт

Под заказ ( 2 - 3 недели): Нет в наличии

Продано: 24 шт.

312 ₽

Количество:

Быстрый заказ в 1 клик

Оптовые скидки:

От 10 шт	296 руб.
От 100 шт	281 руб.
От 1000 шт	250 руб.

Заказ по телефону:+7-900-272-92-92

Описание

Характеристики

Общая информация
Оригинал Оригинальность товара характеризует источник поставки: "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки	Да
Вес и габариты
Вес изделия	7 г
Расположение на складе
Магазин (на Коммунаров)	Стеллаж транзисторы "Полевые", сота "Г -14-"

Отзывы

Обсуждение

Ссылки

Наши группы в социальных сетях

Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:

Группа Радиодар в инстаграмме

Группа Китайдар в социальной сети Вконтакте

Группа радиодар в сети Одноклассники

Покупатели, которые приобрели FDA59N30 - N-канальный силовой полевой транзистор (300В, 35А, до 500Вт, TO-3P) - оригинал ON, также купили

47мкФ*100В -конденсатор электролитический (47uF/100V, ±20%, LW(R), -40+105°C, 8*12мм) - JYCDR

47мкФ*100В -конденсатор электролитический (47uF/100V, ±20%, LW(R), -40+105°C, 8*12мм) - JYCDR

13 ₽

IHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал Infineon

IHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал Infineon

273 ₽

IRFP22N60K -полевой SMPS MOSFET транзистор (600В, 22А, TO-247AC) -оригинал IR

IRFP22N60K -полевой SMPS MOSFET транзистор (600В, 22А, TO-247AC) -оригинал IR

160 ₽

22мкФ*100В -конденсатор электролитический (22uF/100V, ±20%, -40+105°C, CDIIX, 6*12мм) - Chong

22мкФ*100В -конденсатор электролитический (22uF/100V, ±20%, -40+105°C, CDIIX, 6*12мм) - Chong

5 ₽

TGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinno

TGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinno

337 ₽

Хит!

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba

135 ₽

170 ₽

- 20%

35 ₽

3300мкФ*16В -конденсатор электролитический (3300uF/16V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 13*21мм) - DWBJ

3300мкФ*16В -конденсатор электролитический (3300uF/16V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 13*21мм) - DWBJ

20 ₽

22 Ом - 0.25 Вт - 5% - выводные углеродистые резисторы (22Ω, 1/4W, ±5%, CF)

22 Ом - 0.25 Вт - 5% - выводные углеродистые резисторы (22Ω, 1/4W, ±5%, CF)

2 ₽

MBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip

MBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip

228 ₽

330 ₽

- 30%

102 ₽

MBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnaChip

MBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnaChip

358 ₽

IRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IR

IRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IR

130 ₽

IRF3205PBF - полевой N-канальный МОП-транзистор MOSFET (55В, 110А, ТО-220) - оригинал Infineon

IRF3205PBF - полевой N-канальный МОП-транзистор MOSFET (55В, 110А, ТО-220) - оригинал Infineon

35 ₽

Диодные мосты

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.