FF225R17ME4P - полумостовой силовой IGBT-модуль (1700 В, 225 А, EconoDUAL™ 3) - оригинал Infineon
FF225R17ME4P — полумостовой силовой IGBT-модуль производства Infineon Technologies. Электрическая схема включает двух силовых транзисторов IGBT, соединённых полумостом, с обратными диодами. Класс напряжения VCES: 1700 В. Номинальный ток модуля: 225 А. Корпус: EconoDUAL™ 3. Предназначен для применения в: приводы, силовые инверторы и источники бесперебойного питания. Технология: IGBT4 - E4. При замене следует сравнивать внутреннюю схему, выводы, потери Eon/Eoff, VCE(sat), охлаждение, допустимую температуру перехода и размеры.
Документация: Источник технических данных
Запросить поставку
Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку FF225R17ME4P или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023068.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | EconoDUAL™ 3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF225R17ME4P |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой силовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | двух силовых транзисторов IGBT, соединённых полумостом, с обратными диодами |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В; номинал 225 А; half-bridge; EconoDUAL™ 3 |
Функциональный тип | half-bridge |
Расположение на складе | |
Примечание | Параметры конкретного исполнения, массу и распиновку сверять по datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
