FF300R12KS4P - полумостовой IGBT-модуль (1200 В, 300 А, 62 мм (AG-62MMHB)) - оригинал Infineon
FF300R12KS4P — полумостовой IGBT-модуль от Infineon Technologies. Конфигурация: Half-bridge. Класс напряжения: 1200 В. Номинальный ток: 300 А. Корпус: 62 мм (AG-62MMHB). Применение: серводвигатели и UPS. Два силовых IGBT в общей сборке с обратными диодами. Необходимо сверять схему полумоста, DC-шину, параметры диода, переходные потери и тип охлаждения.
Официальная карточка производителя: https://www.infineon.com/part/FF300R12KS4P
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | 62 мм (AG-62MMHB) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF300R12KS4P |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | полумостовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | half-bridge |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1200 В; номинал 300 А; Half-bridge; 62 мм (AG-62MMHB) |
Функциональный тип | half-bridge |
Расположение на складе | |
Примечание | Проверяйте точный заказной код, схему соединений, цоколёвку и условия измерения по datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Конфигурация транзистора | Полумост |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 3.2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
