FF800R17KE3 - двухключевой силовой IGBT-модуль (1700 В, 800 А, IHM) - оригинал Infineon
FF800R17KE3 — двухключевой силовой IGBT-модуль производства Infineon Technologies. Электрическая схема включает двух силовых IGBT; конкретное соединение необходимо сверять по заводской схеме. Класс напряжения VCES: 1700 В. Номинальный ток модуля: 800 А. Корпус: IHM. Предназначен для применения в: промышленные силовые преобразователи. Технология: IGBT3 - E3. Схему соединений двух ключей необходимо проверить по полному datasheet. Статус производителя: discontinued. При замене следует сравнивать внутреннюю схему, выводы, потери Eon/Eoff, VCE(sat), охлаждение, допустимую температуру перехода и размеры.
Документация: https://www.infineon.com/part/FF800R17KE3
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | IHM |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | FF800R17KE3 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | двухключевой силовой IGBT-модуль |
Функциональная категория | Транзисторные модули |
Конструктивные особенности | двух силовых IGBT; конкретное соединение необходимо сверять по заводской схеме |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 1700 В; номинал 800 А; Dual; IHM |
Функциональный тип | Dual |
Расположение на складе | |
Примечание | Параметры конкретного исполнения, массу и распиновку сверять по datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1700 В |
Конфигурация транзистора | Двойной модуль |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C по карточке производителя; IC и VGE уточняются по паспорту. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
