FGA6560WDF - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 65 А, TO-3PN) - оригинал onsemi
FGA6560WDF — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производства onsemi, класс напряжения 600 В, токовый класс 65 А. Исполнение: Одиночный ключ IGBT, корпус TO-3PN. Инверторы, приводы электродвигателей, ибп, схемы pfc и мощные импульсные преобразователи. При подборе аналога сравнивайте VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, параметры обратного диода и тепловое сопротивление. Токовый класс не означает, что предельный длительный ток одинаков при Tc=25 °C и Tc=100 °C: при проектировании следует сверить паспортные режимы именно указанного исполнения. Следует проверять год выпуска и полную маркировку выбранной партии; электрические характеристики могут зависеть от ревизии.
Техническая документация или страница семейства: https://www.onsemi.com/part/FGA6560WDF
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3PN |
Общая информация | |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGA6560WDF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2017/2021 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке |
Тип транзистора | IGBT Trench/Field Stop |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Функциональная характеристика | 600 В, класс 65 А, TO-3PN |
Функциональный тип | Одиночный ключ IGBT |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж IGBT в первом помещении склада, ячейка "Д -5-" |
Примечание | Цена и параметры поставки согласуются с менеджером. Фактическая масса определяется при поступлении. |
Вариант | Партия ON (21 г.), Партия Fairchild (17г.) |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |






















































