FGW40N120HD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO−247, 40G120HD) - оригинал Fuji

Популярные мощные IGBT транзисторы FGW40N120HD в корпусе TO-247. Рассчитаны на работу с допустимым напряжением до 1200 Вольт при максимальном токе до 40 Ампер.

IGBT транзисторы являются гибридом и совмещают в себе биполярных и полевых транзисторов.

Краткие характеристики

• Полное наименование: TGAN30N120FD IGBT транзистор
• Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
• Максимальный ток коллектора IC: 70 Ампер при Тс=25°C (40 Ампер при Тс=100°C)
• Максимальная мощность: 340 Ватт при Тс=25°C
• Максимальная температура: 175°C
• Тип корпуса: TO-247

В официальном datasheet данной модели IGBR транзисторов представлены более подробные характеристики.

Распиновка и внешний вид

Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора TGAN30N120FD

Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов TGAN30N120FD

Гарантии

Прямая поставка IGBT транзисторов TGAN30N120FD в запечатанных заводских коробках от производителя. На нашем youtube-канале размещается видеозаписи вскрытия упаковок.

Оптовые поставки

Для оптовых покупателей оригинальных IGBT транзисторов TGAN30N120FD имеются автоматические скидки. А также самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования. Мы поставляем транзисторы напрямую с производственных линий и поэтому предлагаем выгодные условия покупки. Большие закупки на протяжении более 10 лет позволили нам выйти на этот уровень.

Оптовая поставка входит в состав каждого ежемесячного контейнера. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.

Доставка

Оригинальные IGBT транзисторы TGAN30N120FD могут быть доставлены в любой город России. Отправка осуществляется на ваш выбор любой транспортной компанией, в том числе Почтой России. 

Время ожидания срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней, обычного – от 5 до 10 дней.