FGW40N120HD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO−247, 40G120HD) - оригинал Fuji
Популярные мощные IGBT транзисторы FGW40N120HD в корпусе TO-247. Рассчитаны на работу с допустимым напряжением до 1200 Вольт при максимальном токе до 40 Ампер.
IGBT транзисторы являются гибридом и совмещают в себе биполярных и полевых транзисторов.
Краткие характеристики
- Полное наименование: TGAN30N120FD IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 70 Ампер при Тс=25°C (40 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 340 Ватт при Тс=25°C
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: TO-247
В официальном datasheet данной модели IGBR транзисторов представлены более подробные характеристики.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора TGAN30N120FD
Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов TGAN30N120FD
Гарантии
Прямая поставка IGBT транзисторов TGAN30N120FD в запечатанных заводских коробках от производителя. На нашем youtube-канале размещается видеозаписи вскрытия упаковок.
Оптовые поставки
Для оптовых покупателей оригинальных IGBT транзисторов TGAN30N120FD имеются автоматические скидки. А также самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования. Мы поставляем транзисторы напрямую с производственных линий и поэтому предлагаем выгодные условия покупки. Большие закупки на протяжении более 10 лет позволили нам выйти на этот уровень.
Оптовая поставка входит в состав каждого ежемесячного контейнера. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.
Доставка
Оригинальные IGBT транзисторы TGAN30N120FD могут быть доставлены в любой город России. Отправка осуществляется на ваш выбор любой транспортной компанией, в том числе Почтой России.
Время ожидания срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней, обычного – от 5 до 10 дней.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Fuji Electric |
Part Number | FGW40N120HD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2018 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Полка "IGBT", ячейка "Г-12" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 40 А |
Условия характеристики тока | Предельный ток коллектора: 70 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C; для этих значений Tj ≤ 150 °C. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 70 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 340 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.8 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.34 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 40 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.439 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 120 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -40 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 300 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tj = 25 °C; VCC = 600 В; VGE = 15 В; IC = 40 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 3000 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tj = 25 °C; VCE = 25 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 6 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tj = 25 °C; VCE = 20 В; IC = 40 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
KBP01G
HCPL-0611
