FQA9N90C - N-канальный полевой транзистор (900В, 9А при Tc=25°C, 5.7А при Tc=100°C, TO−3PN) - оригинал ON/Fairchild
Бренд:
ON SemiconductorОписание
Характеристики
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FQA9N90C |
Страна производитель | Китай |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2022 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж №1, полка "полевые", "Полевые -6-7-" |
Условия характеристики тока | Предел постоянного тока стока 9 А при Tc = 25 °C и 5.7 А при Tc = 100 °C. Импульс ограничен температурой перехода. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 900 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 9 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 5.7 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 36 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -30 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 30 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 1400 |
Условия измерения RDS(on) | Tc = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 4.5 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 3 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 5 В |
Условия измерения VGS(th) | Tc = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 45 |
Условия измерения Qg | Tc = 25 °C; VDS = 720 В; VGS = 10 В; ID = 11 А; типовое значение. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.45 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 280 Вт |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 2100 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tc = 25 °C; VDS = 25 В; VGS = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели FQA9N90C - N-канальный полевой транзистор (900В, 9А при Tc=25°C, 5.7А при Tc=100°C, TO−3PN) - оригинал ON/Fairchild, также купили
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
FFAF30U60DN - ультрабыстрая диодная сборка с общим катодом (600В, 30А, 90нс, TO-3PF, F30U60DN) - ON238 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.