HGTG30N60A4D - IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247)| Оригинал ON Semi
Мощные и быстрые оригинальные IGBT(БТИЗ) транзисторы HGTG30N60A4D в корпусе TO−247 производства фирмы ON Semiconductor. Рассчитаны на напряжение до 600 Вольт и на максимальный ток до 60 Ампер.
При соединении структур биполярных и полевых транзисторов образовались БТИЗ транзисторы, поэтому в них свойства и тех, и других.
Краткие характеристики
- Полное наименование: HGTG30N60A4D IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 70 Ампер при Тс=25°C (60 Ампер при Тс=110°C)
- Максимальная мощность: 463 Ватт при Тс=25°C
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO−247
С более подробными характеристики можно познакомиться в datasheet БТИЗ транзисторов HGTG30N60A4D.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора HGTG30N60A4D
Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса IGBT транзисторов HGTG30N60A4D
Гарантии
Поставки прямо с производственных линий IGBT транзисторов HGTG30N60A4D. Оригинальность гарантирована. Как вскрываются заводские упаковки может увидеть каждый: видеозаписи мы размещаем на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
При оптовых покупках IGBT транзисторов HGTG30N60A4D даем автоматические скидки. Представителям промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования – самые выгодные цены.
На протяжение более 10 лет наша компания производит большие закупки напрямую от производителя – это позволило нам выйти на новый уровень. В составе каждого ежемесячного контейнера есть оптовая поставка. Поэтому мы и предоставляем наших клиентам такие выгодные для них предложения. Окончательные цены при этом обсуждаются в индивидуальном порядке.
Доставка
Заказать IGBT транзисторы HGTG30N60A4D можно в любой регион России.
Доставка будет выполнена транспортной компанией на ваш выбор, в том числе возможно выбрать Почту России.
Срочный заказ придет в течении 2-7 рабочих дней, обычный 5-10 дней.
Общая информация | |
Маркировка на корпусе | 30N60A4D |
Оригинальное наименование | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
Год выпуска 
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2018 |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 15 реек в коробке |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Производитель
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | HGTG30N60A4D |
Product Specifications No | G30N60 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 4 |
Примечание | Короб "IGBT -4-" |
Тип корпуса диода | TO-247 |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
