MBQ50T65FESC - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-247) - оригинал MagnaChip
Мощные БТИЗ (IGBT) транзисторы MBQ50T65FESC являются оригиналами. Поставляются напрямую с производственных линий MagnaChip.
Рассчитаны на напряжение до 650В и ток не более 50А. Корпус: TO-247.
IGBT транзисторы возникли при совмещении 2-х структур: полевых и биполярных транзисторов. Как следствие, наделены свойствами и тех, и других.
IGBT транзисторы MBQ50T65FESC применяются в индукционных печах, инверторных сварочных аппаратах, стабилизаторах и другой высоковольтной технике.
Краткие характеристики
- Полное наименование: MBQ50T65FESC IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCE: 650 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 50 Ампер при Тс=100°C (100 Ампер при Тс=25°C)
- Максимальная мощность: 188 Ватт Тс=100°C (375 Ватт при Тс=25°C)
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: TO-247
Более широко характеристики IGBT транзистора MBQ50T65FESC представлены в соответствующем datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1. Реальное изображение транзисторов MBQ50T65FESC
Рис.№2 Назначение выводов IGBT транзистора MBQ50T65FESC
Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов MBQ50T65FESC
Гарантии
В магазине «Радиодар» вы найдете оригинальные IGBT транзисторы MBQ50T65FESC. Их мы поставляем напрямую от производителя MagnaChip. Вскрытие заводских коробок запечатлевается на видеокамеру – соответствующие видеоролики расположены на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
Наша компания свыше 10 лет совершает большие закупки. Работа организована напрямую с производителями. В связи с этим мы рады предоставить нашим оптовым покупателям:
- автоматические скидки;
- самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Мы обсуждаем окончательные цены в отдельном порядке.
Ежемесячный контейнер всегда включает оптовую поставку.
Доставка
Чтобы купить в «Радиодаре» оригинальные IGBT транзисторы MBQ50T65FESC, не обязательно жить в Краснодаре: возможна доставка в любую точку нашей страны!
Вы можете выбрать любую транспортную компанию, в том числе и Почту России.
Ваш заказ будет доставлен быстро:
- от 2 до 7 рабочих дней – срочный;
- от 5 до 10 дней – обычный.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | MagnaChip |
Part Number | MBQ50T65FESC |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2024 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Фирменный короб |
Количество в упаковке | по 30 штук в антистатичной рейке, по 450 штук в заводской упаковке (15 реек) |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж IGBT, ячейка в соте "-Б-12-" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 50 А |
Условия характеристики тока | Постоянный ток коллектора: 100 А при Tc = 25 °C и 50 А при Tc = 100 °C, ограничен температурой перехода. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 100 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 375 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 188 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.4 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 50 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.4 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 200 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -40 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 287 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; VCE = 520 В; IC = 50 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 4453 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 25 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3.8 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 6.2 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tj = 25 °C; VCE = VGE; IC = 0,5 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
STTH60P03SW - сверхбыстрый мощный диод (300В, 60А, TO-247) - оригинал STM
