HGTG30N60A4D - IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247)| Оригинал ON Semi

Мощные и быстрые оригинальные IGBT(БТИЗ) транзисторы HGTG30N60A4D в корпусе TO−247 производства фирмы ON Semiconductor. Рассчитаны на напряжение до 600 Вольт и на максимальный ток до 60 Ампер.

При соединении структур биполярных и полевых транзисторов образовались БТИЗ транзисторы, поэтому в них свойства и тех, и других.

Краткие характеристики

• Полное наименование: HGTG30N60A4D IGBT транзистор
• Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
• Максимальный ток коллектора IC: 70 Ампер при Тс=25°C (60 Ампер при Тс=110°C)
• Максимальная мощность: 463 Ватт при Тс=25°C
• Максимальная температура: 150°C
• Тип корпуса: TO−247

С более подробными характеристики можно познакомиться в datasheet БТИЗ транзисторов HGTG30N60A4D.

Распиновка и внешний вид 

Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора HGTG30N60A4D

Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса IGBT транзисторов HGTG30N60A4D

Гарантии

Поставки прямо с производственных линий IGBT транзисторов HGTG30N60A4D. Оригинальность гарантирована. Как вскрываются заводские упаковки может увидеть каждый: видеозаписи мы размещаем на нашем youtube-канале.

Оптовые поставки

При оптовых покупках IGBT транзисторов HGTG30N60A4D даем автоматические скидки. Представителям промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования – самые выгодные цены.

На протяжение более 10 лет наша компания производит большие закупки напрямую от производителя – это позволило нам выйти на новый уровень. В составе каждого ежемесячного контейнера есть оптовая поставка. Поэтому мы и предоставляем наших клиентам такие выгодные для них предложения. Окончательные цены при этом обсуждаются в индивидуальном порядке.

Доставка

Заказать IGBT транзисторы HGTG30N60A4D можно в любой регион России.

Доставка будет выполнена транспортной компанией на ваш выбор, в том числе возможно выбрать Почту России. 

Срочный заказ придет в течении 2-7 рабочих дней, обычный 5-10 дней.