IKD15N60RF - обратнопроводящий силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 15 А, TO-252-3) - Infineon
IKD15N60RF — обратнопроводящий силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производителя Infineon Technologies AG, класс напряжения VCES=600 В, корпус TO-252-3. Технологическая серия Trench/Fieldstop IGBT. Индекс семейства содержит класс тока 15 А; фактический допустимый ток IC при Tc=25°C и Tc=100°C зависит от паспортных условий. Применяется в: компактные преобразователи, приводная электроника и резонансные схемы, в зависимости от поколения IGBT. При проектировании силовой части важно учитывать потери при включении и выключении, заряд затвора, охлаждение, характеристики антипараллельного диода и допустимую частоту коммутации. В технических обсуждениях Infineon Developer Community отдельно рассматривается влияние внешнего резистора затвора на скорость переключения, динамические потери и электромагнитные помехи. Подбор Rg и режима драйвера требует проверки по datasheet и испытания в реальной схеме. Материал: https://community.infineon.com/t5/Knowledge-Base-Articles/Double-pulse-test-Part-2-FAQs/ta-p/1188053.
Официальная техническая карточка Infineon: Проверенный datasheet
Запросить поставку
Уточните актуальную цену, наличие и срок поставки у менеджера. Оформление покупки возможно после согласования условий.
Отправить запрос на поставку IKD15N60RF или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023031.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon |
Part Number | IKD15N60RF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 4 г |
Функциональная характеристика | 600 В, класс 15 А, TO-252-3 |
Функциональный тип | обратнопроводящий силовой транзистор БТИЗ (IGBT) |
Расположение на складе | |
Примечание | Год и состояние партии требуют уточнения. Масса 4 г расчётная. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
