IRF640NPBF - N-канальный полевой транзистор (200В, 18А, TO-220AB) - оригинал Infineon
Популярные полевые транзисторы IRF640NPBF производства компании International Rectifier (в настоящее время принадлежит Infineon Technologies).
Рассчитаны на напряжение до 200В и ток не более 18А.
Краткие характеристики
- Полное наименование: IRF640NPBF полевой транзистор
- Максимальное напряжение VDSS: 200 Вольт
- Максимальный ток стока ID: 18 Ампер при Тc=25°C (13 Ампер при Тc=100°C)
- Максимальная мощность PD: 150 Ватт при Тc=25°C
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: TO-220AB
В datasheet транзистора IRF640NPBF его характеристики изложены в большем объеме.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Реальное изображение транзисторов текущей партии
Рис. №2 Назначение выводов, типовые размеры и форма корпуса полевых транзисторов IRF640NPBF
Гарантии
Прямая поставка с производственной линии – гарантия 100% оригинальности.
Посмотреть видеозаписи распаковки заводских коробок, в которых поступают полевые транзисторы IRF640NPBF, можно на нашем YouTube-канале.
Оптовые поставки
На оптовую покупку полевых транзисторов IRF640NPBF – автоматические скидки.
Для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования – самые выгодные оптовые цены.
Оптовые поставки позволяют обеспечить низкую итоговую стоимость.
Оптовые заказы всегда содержатся в ежемесячных контейнерах.
Окончательные цены обговариваются с каждым покупателем в отдельном порядке.
Доставка индивидуальных оптовых заказов в течении 2-3 недель.
Доставка
Доставка полевых транзисторов IRF640NPBF осуществляется по всей территории России:
- обычный заказ в пути – от 5 до 10 дней
- срочный заказ в пути – от 2 до 7 рабочих дней
На ваш выбор – транспортная компания, включая Почту России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IRF640NPBF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2024 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 50 штук в пластиковой рейке, 1000 штук в оригинальной заводской упаковке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 5 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Помещение 1, стеллаж "транзисторы", полка "ПОЛЕВ", сота -Д-6 |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 4 |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток по модулю при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса, VGS = 10 В. Ограничения — в паспорте. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 200 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 18 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 13 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 72 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 150 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 11 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 1 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 150 Вт |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
IRF3205PBF - N-канальный MOSFET транзистор (55В, ток корпуса до 75А, ТО-220) - оригинал Infineon
47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
