IRF840PBF - N-канальный полевой транзистор (500В, 8А при Tc=25°C, 125Вт при Tc=25°C, ТО-220) - оригинал Vishay
Полевые транзисторы IRF840 производства компании Vishay. Рассчитаны на напряжение до 500В и ток не более 8А.
Закуплена партия запечатанными заводскими коробками.
Краткие характеристики
- Полное наименование: IRF840 полевой транзистор
- Максимальное напряжение VDS: 500 Вольт
- Максимальный ток стока ID: 8 Ампер при Тc=25°C (5.1 Ампер при Тc=100°C)
- Максимальная мощность PD: 125 Ватт при Тc=25°C
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-220AB
Для более тщательного изучения полевого транзистора IRF840 обратитесь к последней ревизии его datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Фотография реального изображения текущей партии
Рис.№2 Назначение выводов полевого транзистора IRF840
Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса полевых транзисторов IRF840
Гарантии
С производственной линии Vishay закуплены оригинальные полевые транзисторы IRF840. На YouTube-канале нашей компании можно ознакомиться с процессом вскрытия запечатанных заводских коробок.
Оптовые поставки
Оптовые поставки позволяют снизить стоимость. Мы предлагаем нашим клиентам автоматические скидки на оптовые покупки полевых транзисторов IRF840. А представителям промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования – самые выгодные оптовые цены.
Для каждого покупателя цены устанавливаются индивидуально.
Оптовые заказы, как правило, содержатся в составе каждого ежемесячного контейнера.
Доставка
Доставка полевых транзисторов IRF840 – по всей стране.
Заказ будет доставлен в течение 5-10 дней если он срочный, и 2-7 рабочих дней если он обычный.
Мы просим вас выбрать транспортную компанию для отправки вашего заказа. Одним из вариантов является Почта России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Vishay |
Part Number | IRF840PBF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2009/2024 на выбор |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 50 штук в пластиковой рейке, по 1000 штук в заводской коробке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 5 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Отдельные заводские короба "IRF840" на стеллаже с полевыми транзисторами первого помещения склада. |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток по модулю при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса, VGS = 10 В. Ограничения — в паспорте. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 500 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 8 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 5.1 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 32 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 850 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 4.8 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Условия измерения Qg | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; VDS = 400 В; ID = 8 А; значение максимальное. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 1 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 125 Вт |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (макс.), нКл | 63 |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 1300 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tj = 25 °C; VGS = 0 В; VDS = 25 В; f = 1 МГц. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
