IRFP4568PBF - N-канальный полевой транзистор (150В, 121А, ±30В, TO-247AC) - оригинал Infineon
Бренд:
Infineon Technologies AGОписание
Характеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247AC |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IRFP4568PBF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2022 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | ячейка "В-5" в сотах "Полевые" |
Условия характеристики тока | По пределу кристалла при VGS = 10 В: 171 А при Tc = 25 °C и 121 А при Tc = 100 °C. Отдельный числовой предел корпуса в паспорте не указан. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 150 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 171 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 121 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 684 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -30 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 30 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 5.9 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 103 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 3 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 5 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 151 |
Условия измерения Qg | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; VDS = 75 В; ID = 103 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.29 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 517 Вт |
Условия измерения теплового сопротивления RthJC | Измерено при температуре перехода около 90 °C. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (макс.), нКл | 227 |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 10470 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tj = 25 °C; VGS = 0 В; VDS = 50 В; f = 1 МГц. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели IRFP4568PBF - N-канальный полевой транзистор (150В, 121А, ±30В, TO-247AC) - оригинал Infineon, также купили
NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWER65 ₽
SGT40N60FD2PN - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, 380Вт, TO-3P, 40N60FD2) - оригинал SilanНет в наличии
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.