TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO
Бренд:
TRinno TechnologyХарактеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3PN |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | TRinno Technology |
Part Number | TGAN80N60F2DS |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2024 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Ячейка "А 9" IGBT транзисторов в сотах первого помещения |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 80 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 160 А при Tc = 25 °C и 80 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 160 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 481 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 192 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.75 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 80 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.26 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 240 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 220 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = 15 В; VCC = 400 В; IC = 80 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 5140 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4.5 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = VCE; IC = 80 мА. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO, также купили
MBQ40T120FESTH - мощный IGBT транзистор со встроенным диодом (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip296 ₽
330 ₽
- 10%
34 ₽
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.