IXXH75N60B3D1 - силовой транзистор IGBT с диодом (600 В, 75 А, TO-247-3) - оригинал IXYS
IXXH75N60B3D1 — силовой транзистор IGBT с диодом, оригинальное изделие IXYS. Класс напряжения: 600 В; токовый класс: 75 А; корпус: TO-247-3. Конфигурация: discrete IGBT. Серия IXYS/Littelfuse, дискретный транзистор. IGBT с антипараллельным быстродействующим диодом. Номинал 75 А относится к температуре корпуса Tc=110 °C. Значение при 25 °C не должно подменять этот токовый класс. При замене проверять топологию, цоколёвку, термосопротивление, VCE(sat), Eon/Eoff и условия измерения.
Источник технических характеристик: Источник технических данных
Запросить поставку
Стоимость и сроки поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку IXXH75N60B3D1 или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023376.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | IXYS |
Part Number | IXXH75N60B3D1 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | силовой транзистор IGBT с диодом |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Конструктивные особенности | discrete IGBT |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | 600 В; 75 А; discrete IGBT; TO-247-3 |
Функциональный тип | discrete IGBT |
Расположение на складе | |
Примечание | Класс тока и параметры при повышенной температуре сверять по datasheet. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
