Доставка под заказ (из любой точки мира)
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микрокомпьютеры
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Ферриты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
Конструкторы
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Все категории
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
  • Конструкторы
Найти
Доставка под заказ (из любой точки мира)

MJE15030G - биполярный NPN транзистор (150В, 8А, 30МГц, 50Вт, TO-220) - оригинал ON

Поделиться
Бренд:
ON Semiconductor
MJE15030G - транзистор NPN биполярный кремниевый (к-э 150В, макс. ток коллектора 8А/пиковый 16А, макс. напряжение база-эмиттер 5В, коэффициент передачи тока h21 60÷200, до 30МГц, макс. 50Вт, –65°C ÷ +150°C, TO-220) - оригинал ON Semiconductor

Скачать MJE15030G DATASHEET
Характеристики
Тип корпуса:
TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Part Number:
MJE15030G
Смотреть все
Информация о доставке
Ваш город (нажмите для выбора):
Почта
Самовывоз
Курьер
Бандероль + трек (НЕ СРОЧНО)
Рассчитываем стоимость доставки...
Почта России
Рассчитываем стоимость доставки...
Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)
Рассчитываем стоимость доставки...
ОЗОН - тестовая
Рассчитываем стоимость доставки...
5Post
Рассчитываем стоимость доставки...
КИТ до терминала
Рассчитываем стоимость доставки...
КСЭ - медленно
Рассчитываем стоимость доставки...
СДЭК Курьер
Рассчитываем стоимость доставки...
Деловые Линии
Рассчитываем стоимость доставки...
Информация от: 6 ноября 2026 г.
Артикул: 10131302
На складе (г.Краснодар): 979 шт
Под заказ ( 2 - 4 недели): 18650 шт
Продано: 21 шт.
162 ₽
включая НДС 5%
Количество:
Быстрый заказ в 1 клик
Оптовые скидки:
От 10 шт 154 руб.
От 100 шт 146 руб.
От 1000 шт 130 руб.
Заказ по телефону:+7-900-272-92-92
Описание
Характеристики
Нормаупаковка
Тип корпуса
TO-220
Общая информация
Производитель

Производитель (бренд) товара.

Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру

ON Semiconductor
Part Number
MJE15030G
Оригинал

Оригинальность товара характеризует источник поставки:

  • "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя
  • "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов

В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки

Да
Год выпуска

Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"

2024
Состояние

Состояние товара исходя из:

  1. Новый
  2. Б/У
  3. Демонтированный
  4. Разборка (какая именно: нового, рабочего с эксплуатации, с неисправного устройства/оборудования)
Новый
Тип транзистора
биполярный
Вес и габариты
Вес изделия
3 г
Расположение на складе
Магазин (на Коммунаров)
Биполярные соты, помещение №1, ячейка "А-2"
Условия характеристики тока
Предел постоянного тока коллектора 8 А; отдельный предел при Tc = 100 °C в паспорте не указан. Соблюдайте область безопасной работы.
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO|
150 В
Структура транзистора / тип канала
NPN
Конфигурация транзистора
Одиночный транзистор
Коэффициент усиления hFE (мин.)
40
Условия измерения hFE
Tc = 25 °C; VCE = 2 В; IC = 2 А; импульс не более 300 мкс.
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.)
150 В
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.)
5 В
Граничная частота fT (мин.)
30 МГц
Условия измерения fT
Tc = 25 °C; VCE = 10 В; IC = 500 мА; f = 10 МГц.
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.)
0.5 В
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора
Tc = 25 °C; IC = 1 А; IB = 0,1 А; импульс не более 300 мкс.
Максимальная температура перехода Tj
150 °C
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт
2.5
Минимальная рабочая температура перехода Tj
-65 °C
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.)
8 А
Импульсный ток коллектора |ICM| (макс.)
16 А
Условия импульсного тока коллектора
Пиковый ток; допустимые длительность и режим — по SOA в паспорте.
Рассеиваемая мощность при Ta = 25 °C (макс.)
2 Вт
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.)
50 Вт
Условия рассеиваемой мощности
50 Вт при Tc = 25 °C; 2 Вт при Ta = 25 °C. См. паспорт и область безопасной работы.
Отзывы

Loading...
Покупатели, которые приобрели MJE15030G - биполярный NPN транзистор (150В, 8А, 30МГц, 50Вт, TO-220) - оригинал ON, также купили
Диодные мосты
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.