NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWER

Оставить отзыв

Бренд:

Wuxi NCE Power Co., Ltd.

Скачать NCE20TD60B DATASHEET

Характеристики

Тип корпуса:

TO-220

Производитель:

Wuxi NCE Power Co., Ltd.

Part Number:

NCE20TD60B

Смотреть все

Почта

Самовывоз

Курьер

Бандероль + трек (НЕ СРОЧНО)

Рассчитываем стоимость доставки...

Почта России

Рассчитываем стоимость доставки...

Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)

Рассчитываем стоимость доставки...

ОЗОН - тестовая

Рассчитываем стоимость доставки...

5Post

Рассчитываем стоимость доставки...

КИТ до терминала

Рассчитываем стоимость доставки...

КСЭ - медленно

Рассчитываем стоимость доставки...

СДЭК Курьер

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Информация от: 12 ноября 2026 г.

Артикул: 10103862

На складе (г.Краснодар): 154 шт

Под заказ ( 2 - 4 недели): 72000 шт

Продано: 146 шт.

179 ₽

включая НДС 5%

Количество:

Быстрый заказ в 1 клик

Оптовые скидки:

От 10 шт	170 руб.
От 100 шт	161 руб.
От 1000 шт	143 руб.

Заказ по телефону:+7-900-272-92-92

Описание

Характеристики

Нормаупаковка
Тип корпуса	TO-220
Общая информация
Производитель Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру	Wuxi NCE Power Co., Ltd.
Part Number	NCE20TD60B
Оригинал Оригинальность товара характеризует источник поставки: "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки	Да
Год выпуска Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"	2023
Состояние Состояние товара исходя из: Новый Б/У Демонтированный Разборка (какая именно: нового, рабочего с эксплуатации, с неисправного устройства/оборудования)	Новый
Тип транзистора	IGBT (БТИЗ)
Вес и габариты
Вес изделия	4 г
Расположение на складе
Магазин (на Коммунаров)	ячейка "А 12", стеллаж IGBT транзисторы
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.)	600 В
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.)	20 А
Условия характеристики тока	Постоянный ток: 40 А при Tc = 25 °C и 20 А при Tc = 100 °C. Разные редакции паспорта расходятся по мощности и верхней температуре; эти поля требуют проверки партии.
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.)	40 А
Конфигурация транзистора	Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.)	-30 В
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.)	30 В
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.)	1.7 В
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.)	1.9 В
Условия измерения VCE(sat) IGBT	Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 20 А.
Встроенный обратный диод	Есть
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.)	60 А
Условия импульсного тока коллектора	Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт.
Минимальная рабочая температура перехода Tj	-55 °C
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл	97
Условия измерения заряда затвора IGBT	VGE = 15 В; VCC = 480 В; IC = 20 А; типовое значение.
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ	2580
Условия измерения входной ёмкости IGBT	VGE = 0 В; VCE = 25 В; f = 1 МГц; типовое значение.