NGTB10N60R2DT4G - обратнопроводящий IGBT-транзистор (600 В, 10 А, TO-252-2(DPAK)) - оригинал onsemi
NGTB10N60R2DT4G — обратнопроводящий IGBT-транзистор, производитель onsemi. Схема: IGBT с интегрированным обратным диодом. Исполнение: TO-252-2(DPAK). Напряжение VCES/VRRM: 600 В. Номинальный токовый класс 10 А; это не автоматически ток при 100 °C. Подтверждённый IC при Tc=25°C: 20 А. Подтверждённый IC при Tc=100°C: 10 А. Проверять выводы, терморежим, коммутационные потери, VCE(sat), Eon/Eoff и условия измерения.
Источник: Источник технических данных
Запросить поставку
Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку NGTB10N60R2DT4G или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023258.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-252-2(DPAK) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | NGTB10N60R2DT4G |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | обратнопроводящий IGBT-транзистор |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | IGBT с интегрированным обратным диодом; TO-252-2(DPAK) |
Функциональный тип | IGBT с интегрированным обратным диодом |
Расположение на складе | |
Примечание | Непроверенные параметры не заполняются; datasheet обязателен для точного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 10 А |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 20 А |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
