NGTD28T65F2SWK - бескорпусный кристалл IGBT (bare die) (650 В) - оригинал onsemi
NGTD28T65F2SWK — бескорпусный кристалл IGBT (bare die), производитель onsemi. Схема: кристалл IGBT для корпусирования; не готовый SMD-компонент. Исполнение: бескорпусный кристалл (bare die). Напряжение VCES/VRRM: 650 В. Ток и температурные условия требуют подтверждения по datasheet. Поставляется в виде полупроводникового кристалла, без готового корпуса и выводов. Проверять выводы, терморежим, коммутационные потери, VCE(sat), Eon/Eoff и условия измерения.
Запросить поставку
Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Отправить запрос на поставку NGTD28T65F2SWK или позвонить: +7 900 272-92-92. Укажите нужное количество и артикул 11023241.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | бескорпусный кристалл (bare die) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | NGTD28T65F2SWK |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | бескорпусный кристалл IGBT (bare die) |
Вес и габариты | |
Функциональная характеристика | кристалл IGBT для корпусирования; не готовый SMD-компонент; бескорпусный кристалл (bare die) |
Функциональный тип | кристалл IGBT для корпусирования; не готовый SMD-компонент |
Расположение на складе | |
Примечание | Непроверенные параметры не заполняются; datasheet обязателен для точного исполнения. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
