NTMFS5C430NLT1G - N-канальный MOSFET транзистор (40В, 140А при Tc=100°C, импульс до 900А/10мкс, DFN5) - оригинал ON
Бренд:
ON SemiconductorХарактеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | DFN5 (SO-8FL) |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | NTMFS5C430NLT1G |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023+ |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 1 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | "ПОЛЕВЫЕ -8-" |
Условия характеристики тока | При Tc = 25 °C 200 А, при Tc = 100 °C 140 А. На плате FR4 (650 мм², медь 2 oz) при Ta = 25 °C 38 А, при Ta = 100 °C 27 А; импульс 900 А допускается до 10 мкс. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 40 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 200 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 140 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 900 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 1.4 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 50 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 1.2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 2 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 70 |
Условия измерения Qg | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; VDS = 20 В; ID = 50 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 1.4 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 110 Вт |
Рассеиваемая мощность при Tc = 100 °C (макс.) | 53 Вт |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (макс.), нКл | 82 |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 4300 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tj = 25 °C; VGS = 0 В; VDS = 20 В; f = 1 МГц. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели NTMFS5C430NLT1G - N-канальный MOSFET транзистор (40В, 140А при Tc=100°C, импульс до 900А/10мкс, DFN5) - оригинал ON, также купили
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.