КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Все категории

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Все категории

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Все категории

Найти

КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

Поиск по запросу

12/24/36/48

Дата добавления

Страница 47 из 443

P32K10A - розеточное гнездо на панель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32K10A - розеточное гнездо на панель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32K10A - розеточное гнездо на панель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32K10A - розеточное гнездо на панель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32K10A - розеточное гнездо на панель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)Part Number:P32K10AГод выпуска:2024Вес изделия:65 г

P32J10Q - вилочный штекер на кабель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32J10Q - вилочный штекер на кабель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32J10Q - вилочный штекер на кабель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32J10Q - вилочный штекер на кабель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32J10Q - вилочный штекер на кабель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)

P32J10Q - вилочный штекер на кабель (10*1.5мм) - производство HAOGNCN (Китай)Part Number:P32J10Q 10*1.5ммГод выпуска:2024Вес изделия:95 г

S202T01 - твердотельное низкопрофильное реле (600В, 2A, SIP-4) - оригинал SHARP

S202T01 - твердотельное низкопрофильное реле (600В, 2A, SIP-4) - оригинал SHARP

S202T01 - твердотельное низкопрофильное реле (600В, 2A, SIP-4) - оригинал SHARP

S202T01 - твердотельное низкопрофильное реле (600В, 2A, SIP-4) - оригинал SHARP

S202T01 - твердотельное низкопрофильное реле (600В, 2A, SIP-4) - оригинал SHARPВес изделия:3.5 гМагазин (на Коммунаров):Стеллаж "Реле", сота "-1-3-"

W5500 - модуль сетевого Ethernet взаимодействия на чипе W5500 (TCP/IP)

W5500 - модуль сетевого Ethernet взаимодействия на чипе W5500 (TCP/IP)

W5500 - модуль сетевого Ethernet взаимодействия на чипе W5500 (TCP/IP)Part Number:W5500 (TCP/IP)Год выпуска:2025Вес изделия:15 г

4-х канальный модуль реле с опторазвязкой и выбором уровня управления (5В, 4*10А, high/low)

4-х канальный модуль реле с опторазвязкой и выбором уровня управления (5В, 4*10А, high/low)Состояние:Новый

120мкФ*400В -электролитический конденсатор (120uF/400V, ±20%, VEHT, -40+105°C, 18*30мм) - CHONGX

120мкФ*400В -электролитический конденсатор (120uF/400V, ±20%, VEHT, -40+105°C, 18*30мм) - CHONGX

120мкФ*400В -электролитический конденсатор (120uF/400V, ±20%, VEHT, -40+105°C, 18*30мм) - CHONGX

120мкФ*400В -электролитический конденсатор (120uF/400V, ±20%, VEHT, -40+105°C, 18*30мм) - CHONGX

120мкФ*400В -электролитический конденсатор (120uF/400V, ±20%, VEHT, -40+105°C, 18*30мм) - CHONGX

120мкФ*400В -электролитический конденсатор (120uF/400V, ±20%, VEHT, -40+105°C, 18*30мм) - CHONGXЕмкость (Сном.):120 мкФНоминальное отклонение:20%Напряжение (Umax):400 вольтТип корпуса конденсатора:цилиндрическийДиаметр корпуса:18 мм

47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz

47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz

47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz

47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz

47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz

47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - HyncdzЕмкость (Сном.):47 мкФНапряжение (Umax):400 вольтГод выпуска:2024Part Number:47мкФ*400В 16*20ммВес изделия:5.5 г

DGE-550SX - однопортовая сетевая оптическая карта (1000Base-SX, PCI) - D-Link

DGE-550SX - однопортовая сетевая оптическая карта (1000Base-SX, PCI) - D-Link

YH11063D - повышающий DC-DC преобразователь (Uвх=8-32В, Uвых=9-46В, 150Ватт, 8А)

YH11063D - повышающий DC-DC преобразователь (Uвх=8-32В, Uвых=9-46В, 150Ватт, 8А)

YH11063D - повышающий DC-DC преобразователь (Uвх=8-32В, Uвых=9-46В, 150Ватт, 8А)

YH11063D - повышающий DC-DC преобразователь (Uвх=8-32В, Uвых=9-46В, 150Ватт, 8А)

YH11063D - повышающий DC-DC преобразователь (Uвх=8-32В, Uвых=9-46В, 150Ватт, 8А)

YH11063D - повышающий DC-DC преобразователь (Uвх=8-32В, Uвых=9-46В, 150Ватт, 8А)Part Number:YH11063DГод выпуска:2023Вес изделия:65 г

FP35R12W2T4 - IGBT модуль (1200В, 35А) - оригинал Infineon

FP35R12W2T4 - IGBT модуль (1200В, 35А) - оригинал Infineon

FP35R12W2T4 - IGBT модуль (1200В, 35А) - оригинал Infineon

FP35R12W2T4 - IGBT модуль (1200В, 35А) - оригинал Infineon

FP35R12W2T4 - IGBT модуль (1200В, 35А) - оригинал InfineonПроизводитель:Infineon Technologies AGPart Number:FP35R12W2T4Оригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:Новый

NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWER

NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWER

NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWER

NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWERПроизводитель:Wuxi NCE Power Co., Ltd.Оригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:НовыйТип транзистора:IGBT (БТИЗ)

P48K6A розеточное гнездо на панель (26*1.5мм) аналог розетки ШР48П26ЭГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48K6A розеточное гнездо на панель (26*1.5мм) аналог розетки ШР48П26ЭГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48K6A розеточное гнездо на панель (26*1.5мм) аналог розетки ШР48П26ЭГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48K6A розеточное гнездо на панель (26*1.5мм) аналог розетки ШР48П26ЭГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48K6A розеточное гнездо на панель (26*1.5мм) аналог розетки ШР48П26ЭГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48K6A розеточное гнездо на панель (26*1.5мм) аналог розетки ШР48П26ЭГ2 - производство HAOGNCN (Китай)Part Number:P48K6A 26*1.5ммГод выпуска:2024Серия разъемов:ШР (P)Посадочный диаметр:15 ммТип монтажа разъёма:На панель

P48J6Q вилочный штекер на кабель (26*1.5мм) аналог вилки ШР48П26НГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48J6Q вилочный штекер на кабель (26*1.5мм) аналог вилки ШР48П26НГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48J6Q вилочный штекер на кабель (26*1.5мм) аналог вилки ШР48П26НГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48J6Q вилочный штекер на кабель (26*1.5мм) аналог вилки ШР48П26НГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48J6Q вилочный штекер на кабель (26*1.5мм) аналог вилки ШР48П26НГ2 - производство HAOGNCN (Китай)

P48J6Q вилочный штекер на кабель (26*1.5мм) аналог вилки ШР48П26НГ2 - производство HAOGNCN (Китай)Part Number:P48J6Q 26*1.5ммГод выпуска:2024Серия разъемов:ШР (P)Посадочный диаметр:15 ммТип монтажа разъёма:На кабель

SSR-40DA - твердотельное реле (3-32В, 24-380В) - не оригинал

SSR-40DA - твердотельное реле (3-32В, 24-380В) - не оригинал

SSR-40DA - твердотельное реле (3-32В, 24-380В) - не оригинал

SSR-40DA - твердотельное реле (3-32В, 24-380В) - не оригинал

SSR-40DA - твердотельное реле (3-32В, 24-380В) - не оригинал

SSR-40DA - твердотельное реле (3-32В, 24-380В) - не оригиналPart Number:SSR-40DAГод выпуска:2023Вес изделия:95 г

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICRO

CRG40T60AN3H - транзистор IGBT силовой (600В, 40А, до 280Вт, TO-3PN, G40T60AN3H) - производство CRMICROPart Number:CRG40T60AN3HОригинал:ДаГод выпуска:2024Вес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):"Е-11-" ячейка на стеллаже IGBT транзисторов

FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал Infineon

FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал Infineon

FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал Infineon

FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал Infineon

FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал Infineon

FF200R12KT4 - сдвоенный IGBT модуль (1200В, 200А) - оригинал InfineonПроизводитель:Infineon Technologies AGОригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:НовыйВес изделия:350 г

CRG40T120AK3SD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 333Вт, TO-247, G40T120AK3SD) - оригинал CRMICRO

CRG40T120AK3SD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 333Вт, TO-247, G40T120AK3SD) - оригинал CRMICRO

CRG40T120AK3SD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 333Вт, TO-247, G40T120AK3SD) - оригинал CRMICRO

CRG40T120AK3SD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 333Вт, TO-247, G40T120AK3SD) - оригинал CRMICRO

CRG40T120AK3SD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 333Вт, TO-247, G40T120AK3SD) - оригинал CRMICRO

CRG40T120AK3SD - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 333Вт, TO-247, G40T120AK3SD) - оригинал CRMICROPart Number:CRG40T120AK3SDГод выпуска:2025Вес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):Соты, Транзисторы IGBT, ячейка "Б - 4"

FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал Infineon

FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал Infineon

FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал Infineon

FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал Infineon

FP25R12W2T4 - мощный IGBT модуль (1200В, 25А) - оригинал InfineonВес изделия:50 г

CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICRO

CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICRO

CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICRO

CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICROPart Number:CRG60T60AK3HDОригинал:ДаГод выпуска:2024Вес изделия:8 гМагазин (на Коммунаров):IGBT сота "Д -15-"

NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWER

NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWER

NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWER

NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWERПроизводитель:Wuxi NCE Power Co., Ltd.Part Number:NCE20TD60BОригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:Новый

NCE40TD120BT TO-247 NCE

NCE40TD120BT TO-247 NCE

NCE40TD120BT TO-247 NCE

NCE40TD120BT TO-247 NCEМагазин (на Коммунаров):Соты транзисторы IGBT 4-9

FGH75T65SQDTL4 - мощный IGBT транзистор (650В, 75А, TO-247-4) - оригинал ON

FGH75T65SQDTL4 - мощный IGBT транзистор (650В, 75А, TO-247-4) - оригинал ON

FGH75T65SQDTL4 - мощный IGBT транзистор (650В, 75А, TO-247-4) - оригинал ONВес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):"Е -4-" ячейка на стеллаже транзисторов IGBT

FF300R12KT4 - мощный IGBT модуль (1200В, 300А) - оригинал Infineon

FF300R12KT4 - мощный IGBT модуль (1200В, 300А) - оригинал Infineon

FF300R12KT4 - мощный IGBT модуль (1200В, 300А) - оригинал Infineon

FF300R12KT4 - мощный IGBT модуль (1200В, 300А) - оригинал Infineon

FF300R12KT4 - мощный IGBT модуль (1200В, 300А) - оригинал Infineon

FF300R12KT4 - мощный IGBT модуль (1200В, 300А) - оригинал InfineonПроизводитель:Infineon Technologies AGPart Number:FF300R12KT4Оригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:Новый

IKW25N120T2 - высоковольтный IGBT транзистор с диодом серии TrenchStop2 (1200В, 25А, PG-TO-247-3, K25T1202) - оригинал INFINEON

IKW25N120T2 - высоковольтный IGBT транзистор с диодом серии TrenchStop2 (1200В, 25А, PG-TO-247-3, K25T1202) - оригинал INFINEONPart Number:IKW25N120T2Год выпуска:2020Вес изделия:7 г

IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал Infineon

IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал Infineon

IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал Infineon

IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал Infineon

IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал InfineonPart Number:IKW75N65EH5Оригинал:ДаГод выпуска:2021Вес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):Стеллаж транзисторы, полка IGBT, ячейка "Д 6"

IKW40N65H5 - мощный IGBT транзистор 5 поколения (650В, 46А, TO-247-3) - оригинал Infineon

IKW40N65H5 - мощный IGBT транзистор 5 поколения (650В, 46А, TO-247-3) - оригинал Infineon

IKW40N65H5 - мощный IGBT транзистор 5 поколения (650В, 46А, TO-247-3) - оригинал Infineon

IKW40N65H5 - мощный IGBT транзистор 5 поколения (650В, 46А, TO-247-3) - оригинал InfineonВес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):"Д-11" ячейка за стеллаже IGBT транзисторов

GPU100HF120D1SE - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT (1200В, 100А, до 400Вт, 94х34х30.2мм, MODULE) - производство Daxin

GPU100HF120D1SE - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT (1200В, 100А, до 400Вт, 94х34х30.2мм, MODULE) - производство Daxin

GPU100HF120D1SE - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT (1200В, 100А, до 400Вт, 94х34х30.2мм, MODULE) - производство Daxin

GPU100HF120D1SE - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT (1200В, 100А, до 400Вт, 94х34х30.2мм, MODULE) - производство Daxin

GPU100HF120D1SE - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT (1200В, 100А, до 400Вт, 94х34х30.2мм, MODULE) - производство DaxinГод выпуска:2025Оригинал:ДаPart Number:GPU100HF120D1SEВес изделия:160 г

IKW40N120CS6 TO-247-3 Infineon

IKW40N120CS6 TO-247-3 Infineon

IKW40N120CS6 TO-247-3 Infineon

IKW40N120CS6 TO-247-3 InfineonГод выпуска:2021Part Number:IKW40N120CS6Вес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):IGBT ячейка 2-7

Металлический корпус для микрокомпьютера Orange Pi 4 LTS с двумя термопрокладками - черный цвет

Металлический корпус для микрокомпьютера Orange Pi 4 LTS с двумя термопрокладками - черный цвет

Металлический корпус для микрокомпьютера Orange Pi 4 LTS с двумя термопрокладками - черный цвет

Металлический корпус для микрокомпьютера Orange Pi 4 LTS с двумя термопрокладками - черный цвет

Металлический корпус для микрокомпьютера Orange Pi 4 LTS с двумя термопрокладками - черный цвет

Металлический корпус для микрокомпьютера Orange Pi 4 LTS с двумя термопрокладками - черный цветPart Number:Метал.корпус д/Orange Pi 4 LTSГод выпуска:2024Вес изделия:180 г

Orange Pi 4 LTS (4G16G) - микроконтроллер на базе RK3399

Orange Pi 4 LTS (4G16G) - микроконтроллер на базе RK3399

Orange Pi 4 LTS (4G16G) - микроконтроллер на базе RK3399

Orange Pi 4 LTS (4G16G) - микроконтроллер на базе RK3399

Orange Pi 4 LTS (4G16G) - микроконтроллер на базе RK3399

Orange Pi 4 LTS (4G16G) - микроконтроллер на базе RK3399Part Number:Pi 4 LTS (4G16G)Год выпуска:2025Вес изделия:82 г

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.