SVF23N50PN - мощный полевой N-канальный транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50) - оригинал Silan
Характеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3P |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. |
Part Number | SVF23N50PN |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2025 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | соты Полевые, ячейка "Г 12" |
Условия характеристики тока | Постоянный ток стока: 23 А при Tc = 25 °C и 14,55 А при Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 500 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 23 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 14.55 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 92 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -30 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 30 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 270 |
Условия измерения RDS(on) | Tc = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 11,5 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4 В |
Условия измерения VGS(th) | Tc = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 42.51 |
Условия измерения Qg | Tc = 25 °C; VGS = 10 В; VDD = 400 В; ID = 23 А; типовое значение. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.45 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 280 Вт |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 2595.8 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tc = 25 °C; VGS = 0 В; VDS = 25 В; f = 1 МГц. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели SVF23N50PN - мощный полевой N-канальный транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50) - оригинал Silan, также купили
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.