TG600HF12M1-G3A00 - модуль: силовой полумост IGBT/2-транзистора c общим К-Э (2х{ 1200В, 600А}, NTC 5кОм, 151.8х62х20.8мм, M-1) - производство CRRC

TG600HF12M1-G3A00 - модуль: силовой полумост IGBT/2-транзистора c общим коллектор-эмиттером (2х{максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200В, постоянное напряжение затвор-эмиттер ±20В/типовое пороговое 6.1В, максимальный ток коллектор-эмиттер 600А/1200А_одиночный импульс 1мс, макс. падение напряжения Uкэ=2.25В/при Uзэ=15В и Iк=600А, встроенные: обратный диод К-Э и термистор NTC 5кОм±5%; время задержки включения/выключения_330нс/770нс при Т=125°С}, устойчивость к КЗ_10мкс, медная опорная подошва для радиатора, до 3000Вт, -40°С÷150°С, 11 выводов(4-силовых винтов М6 + 7-штыревых для пайки/накрутки), 151.8х62х20.8мм, M-1) - производство ZHUZHOU CRRC TIMES SEMICONDUCTOR CO., LTD