TIP35C биполярный NPN транзистор (100В, 25А, 125Вт, TO-247) оригинал ST
Оригинальные биполярные транзисторы структуры NPN производства ST Мicroelectronics в корпусе ТО-247.
Гарантированные поставки с производственных линий. На фотографии реальное изображение транзисторов текущей партии.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | STMicroelectronics |
Part Number | TIP35C |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2019 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в пластиковой рейке |
Тип транзистора | Биполярный |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Помещение 1, соты "Биполярные" |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора 25 А; отдельный предел при Tc = 100 °C в паспорте не указан. Учитывайте область безопасной работы. |
Модуль предельного напряжения коллектор–эмиттер |VCEO| | 100 В |
Структура транзистора / тип канала | NPN |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Коэффициент усиления hFE (мин.) | 25 |
Условия измерения hFE | Tc = 25 °C; VCE = 4 В; IC = 1,5 А; импульсное измерение. |
Напряжение коллектор–база |VCBO| (макс.) | 100 В |
Напряжение эмиттер–база |VEBO| (макс.) | 5 В |
Граничная частота fT (мин.) | 3 МГц |
Условия измерения fT | Tc = 25 °C; VCE = 10 В; IC = 1 А; f = 1 МГц. |
Напряжение насыщения биполярного транзистора VCE(sat) (макс.) | 1.8 В |
Условия измерения VCE(sat) биполярного транзистора | Модуль; Tc = 25 °C; IC = 15 А; IB = 1,5 А; импульсное измерение. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 1 |
Постоянный ток коллектора |IC| (макс.) | 25 А |
Импульсный ток коллектора |ICM| (макс.) | 50 А |
Условия импульсного тока коллектора | Импульс короче 5 мс. |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 125 Вт |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
47мкФ*400В -электролитический конденсатор (47uF/400V, ±20%, LOWESR, -40+105°C, 16*20мм) - Hyncdz
