Доставка под заказ (из любой точки мира)
Личный кабинет
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 900 272-92-92
Режим работы (МСК):
Пн-Пт 9:00—18:00;
Сб-Вс выходные дни
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микросхемы
Транзисторы
Диоды
Резисторы
Конденсаторы
Реле
Кнопки и переключатели
Элементы защиты
Платы, сборки и модули
Микрокомпьютеры
Моторы и сервоприводы
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Кабели, шлейфы, провода
Разъёмы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Измерительные приборы
Источники питания
Ферриты
Запасные части
Расходные материалы
Прочие компоненты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
Транзисторы
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Избранное0
Сравнение0
Просмотренные0
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Транзисторы
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Личный кабинет
Избранное0
Сравнение0
Просмотренные0
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Транзисторы
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Доставка под заказ (из любой точки мира)
Каталог товаров

Транзисторы

БиполярныеБиполярные 103 товара
БТИЗ (IGBT)БТИЗ (IGBT) 3099 товаров
ПолевыеПолевые 200 товаров
ФИЛЬТР ТОВАРОВ
Максимальное напряжение
Максимальный ток
Тип транзистора
Склады
Очистить
Популярные товары
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba171 ₽GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")73 ₽Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство RexchipВихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip97 878 ₽
Смотреть все
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
order@radiodar.ru
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Максимальное напряжение
0
Максимальный ток
0
Тип транзистора
0
Склады
0
12/24/36/48
В наличии
Страница 2 из 114
MBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChip
 4MBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipПолное наименование:БТИЗ транзистор MBQ60T65PESПроизводитель:MagnaChipPart Number:60T65PESОригинальное наименование:MBQ60T65PES 650V Field Stop IGBTОригинал:Да
В наличии
- 947 шт.
Артикул: 10002450
248 ₽
IHW20N135R5 реплика IGBT-транзистора (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20R1353) производство LYD (Китай)
 1IHW20N135R5 реплика IGBT-транзистора (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20R1353) производство LYD (Китай)Маркировка на корпусе:H20R1353Год выпуска:2019Оригинал:НетСостояние:НовыйМагазин (на Коммунаров):ячейка "IGBT-4-3" стеллажа транзисторы
В наличии
- 74 шт.
Артикул: 22506
155 ₽
IRF540PBF - N-канальный полевой транзистор (100В, 20А, TO-220AB) - оригинал VISHAYIRF540PBF - N-канальный полевой транзистор (100В, 20А, TO-220AB) - оригинал VISHAYIRF540PBF - N-канальный полевой транзистор (100В, 20А, TO-220AB) - оригинал VISHAY
IRF540PBF - N-канальный полевой транзистор (100В, 20А, TO-220AB) - оригинал VISHAYОригинал:НетВес изделия:3 гМагазин (на Коммунаров):Первое помещение, стеллаж транзисторы "Полевые", ячейка "В-12"
В наличии
- 128 шт.
Артикул: 10131319
110 ₽
125 ₽
- 12%
Экономия 15 ₽
FGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMIFGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMIFGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMI
FGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMIПроизводитель:VBSEMIОригинал:НетГод выпуска:2024Состояние:НовыйТип упаковки:Фирменный короб
В наличии
- 288 шт.
Артикул: 11003240
296 ₽
FMH11N90E - N-канальный полевой транзистор (900В, 11А, 285Вт, TO-3P, 11N90E) - оригинал FujiFMH11N90E - N-канальный полевой транзистор (900В, 11А, 285Вт, TO-3P, 11N90E) - оригинал FujiFMH11N90E - N-канальный полевой транзистор (900В, 11А, 285Вт, TO-3P, 11N90E) - оригинал Fuji
FMH11N90E - N-канальный полевой транзистор (900В, 11А, 285Вт, TO-3P, 11N90E) - оригинал FujiПроизводитель:Fuji ElectricОригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:НовыйТип упаковки:Пластиковые антистатические рейки
В наличии
- 169 шт.
Артикул: 10130873
248 ₽
KIA2906A - N-канальный полевой транзистор (60В, 130А, TO−3P) - оригинал KIA SemiKIA2906A - N-канальный полевой транзистор (60В, 130А, TO−3P) - оригинал KIA SemiKIA2906A - N-канальный полевой транзистор (60В, 130А, TO−3P) - оригинал KIA SemiKIA2906A - N-канальный полевой транзистор (60В, 130А, TO−3P) - оригинал KIA Semi
 1KIA2906A - N-канальный полевой транзистор (60В, 130А, TO−3P) - оригинал KIA SemiПроизводитель:KIA SemiconductorsОригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:НовыйТип упаковки:Пластиковые антистатические рейки
В наличии
- 178 шт.
Артикул: 10030857
106 ₽
IRFB4227PBF - N-канальный силовой полевой транзистор (200В, ±30В, 46А, 33нс/21нс, 190Вт, TO-220AB) - оригинал INFINEONIRFB4227PBF - N-канальный силовой полевой транзистор (200В, ±30В, 46А, 33нс/21нс, 190Вт, TO-220AB) - оригинал INFINEONIRFB4227PBF - N-канальный силовой полевой транзистор (200В, ±30В, 46А, 33нс/21нс, 190Вт, TO-220AB) - оригинал INFINEONIRFB4227PBF - N-канальный силовой полевой транзистор (200В, ±30В, 46А, 33нс/21нс, 190Вт, TO-220AB) - оригинал INFINEONIRFB4227PBF - N-канальный силовой полевой транзистор (200В, ±30В, 46А, 33нс/21нс, 190Вт, TO-220AB) - оригинал INFINEON
IRFB4227PBF - N-канальный силовой полевой транзистор (200В, ±30В, 46А, 33нс/21нс, 190Вт, TO-220AB) - оригинал INFINEONОценка внешнего состояния:5 - идеально новыйПроизводитель:Infineon Technologies AGОригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:Новый
В наличии
- 58 шт.
Артикул: 11002983
121 ₽
KGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KEC
KGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECСтрана производитель:КореяГод выпуска:2022Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:30 штук в рейкеОригинал:Да
Нет в наличии
Артикул: 100927
204 ₽
FDPF51N25YDTU - N-канальный полевой транзистор (250В, 51А, TO-220F) - производство VBSEMIFDPF51N25YDTU - N-канальный полевой транзистор (250В, 51А, TO-220F) - производство VBSEMI
FDPF51N25YDTU - N-канальный полевой транзистор (250В, 51А, TO-220F) - производство VBSEMIПроизводитель:VBSEMIОригинал:НетГод выпуска:ноябрь 2023Состояние:НовыйТип упаковки:пластиковая антистатичная рейка
В наличии
- 151 шт.
Артикул: 10104480
162 ₽
MBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip
MBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipПроизводитель:MagnaChipPart Number:MBQ40T120FESОригинальное наименование:MBQ40T120FES High speed FieldStop Trench IGBTСтрана производитель:КореяОригинал:Да
Нет в наличии
Артикул: 10002438
391 ₽
JCS12N65FT - N-канальный полевой транзистор (650В, 12А, TO-220C/MF) -производство TOOHONGJCS12N65FT - N-канальный полевой транзистор (650В, 12А, TO-220C/MF) -производство TOOHONGJCS12N65FT - N-канальный полевой транзистор (650В, 12А, TO-220C/MF) -производство TOOHONG
JCS12N65FT - N-канальный полевой транзистор (650В, 12А, TO-220C/MF) -производство TOOHONGВес изделия:5 гМагазин (на Коммунаров):Первое помещение, стеллаж транзисторы, оригинальная коробка над биполярными
В наличии
- 698 шт.
Артикул: 10100463
83 ₽
IRF740PBF - N-канальный полевой транзистор (400В, 10А, TO-220AB) - оригинал VISHAYIRF740PBF - N-канальный полевой транзистор (400В, 10А, TO-220AB) - оригинал VISHAYIRF740PBF - N-канальный полевой транзистор (400В, 10А, TO-220AB) - оригинал VISHAY
IRF740PBF - N-канальный полевой транзистор (400В, 10А, TO-220AB) - оригинал VISHAYОригинал:НетВес изделия:3 гМагазин (на Коммунаров):Ячейка "В-11" на стеллаже "Полевые"
В наличии
- 84 шт.
Артикул: 10131318
45 ₽
50 ₽
- 10%
Экономия 5 ₽
MBQ50T65FESC - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-247) - оригинал MagnaChipMBQ50T65FESC - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-247) - оригинал MagnaChipMBQ50T65FESC - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-247) - оригинал MagnaChipMBQ50T65FESC - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-247) - оригинал MagnaChip
 2MBQ50T65FESC - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-247) - оригинал MagnaChipПроизводитель:MagnaChipОригинал:ДаГод выпуска:2022 г.в.Состояние:НовыйТип упаковки:Фирменный короб
В наличии
- 450 шт.
Артикул: 10030995
240 ₽
FMH23N50E -N-канальный полевой транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50E) -оригинал Fuji | 2455FMH23N50E -N-канальный полевой транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50E) -оригинал Fuji | 2455FMH23N50E -N-канальный полевой транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50E) -оригинал Fuji | 2455FMH23N50E -N-канальный полевой транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50E) -оригинал Fuji | 2455
 8FMH23N50E -N-канальный полевой транзистор (500В, 23А, TO-3P, 23N50E) -оригинал Fuji | 2455Производитель:Fuji ElectricОригинал:ДаГод выпуска:2021Состояние:НовыйТип упаковки:Пластиковые антистатические рейки
В наличии
- 557 шт.
Артикул: 2455
248 ₽
IRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, 160А, TO-220) - оригинал IR/InfineonIRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, 160А, TO-220) - оригинал IR/InfineonIRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, 160А, TO-220) - оригинал IR/InfineonIRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, 160А, TO-220) - оригинал IR/InfineonIRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, 160А, TO-220) - оригинал IR/Infineon
IRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, 160А, TO-220) - оригинал IR/InfineonМаркировка на корпусе:IRFB3306 IRГод выпуска:2019Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:по 50 штук в рейке, по 20 реек в коробке (1000 штук)Оригинал:Да
В наличии
- 106 шт.
Артикул: 22477
141 ₽
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba
 51 1GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaПолное наименование:GT50JR22 - биполярный транзистор с изолированным затворомПроизводитель:ToshibaPart Number:GT50JR22Product Specifications No:50JR22Оригинальное наименование:Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT50JR22
В наличии
- 1294 шт.
Артикул: 10002191
171 ₽
MBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipMBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipMBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipMBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал Magnachip
MBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipПроизводитель:MagnaChipОригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:НовыйТип упаковки:Фирменный короб
В наличии
- 286 шт.
Артикул: 104347
358 ₽
SGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал Silan
 1SGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanПолное наименование:SGT40N60FD1Производитель:Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.Оригинальное наименование:SGT40N60FD1P7Оригинал:ДаГод выпуска:2023 г.
В наличии
- 864 шт.
Артикул: 22465
175 ₽
2SC5200 - биполярный NPN транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал Toshiba2SC5200 - биполярный NPN транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал Toshiba2SC5200 - биполярный NPN транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал Toshiba
 22SC5200 - биполярный NPN транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал ToshibaГод выпуска:2021Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:20 штук в рейкеОригинал:ДаПроизводитель:Toshiba
В наличии
- 12 шт.
Артикул: 30845
226 ₽
FGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON SemiFGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON SemiFGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON Semi
 18FGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON SemiОсобенности:встроенный диодМаркировка на корпусе:FGH60N60SFDФункциональная категория:Силовые ключиСтрана производитель:Made in China Производственные линии ON Semiconductor в КитаеПолное наименование:IGBT транзистор FGH60N60SFDTU
Нет в наличии
Артикул: 1092-20
391 ₽
TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838
 9 2TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838Оригинальное наименование:TGAN60N60F2DS Field Stop Trench IGBTПолное наименование:Биполярный транзистор с изолированным затвором TGAN60N60F2DS производства TRinnoГод выпуска:январь 2021Тип упаковки:пластиковая антистатичная рейкаКоличество в упаковке:450 штук в заводском коробе, по 30 шутк в одной пластиковой рейке
Нет в наличии
Артикул: 30838
325 ₽
IRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IRIRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IRIRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IRIRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IR
IRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, 98А, TO-247AC) - оригинал IRПроизводитель:International RectifierОригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:НовыйТип упаковки:Пластиковые антистатические рейки
В наличии
- 367 шт.
Артикул: 10002483
130 ₽
TGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinnoTGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinnoTGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinno
 1TGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinnoПроизводитель:TRinno TechnologyОригинал:ДаСостояние:НовыйТип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиВес изделия:8 г
В наличии
- 180 шт.
Артикул: 10030852
337 ₽
BC846B транзистор (NPN, 65В, 0.2А, 0.3Вт, SOT-23) - оригинал NexperiaBC846B транзистор (NPN, 65В, 0.2А, 0.3Вт, SOT-23) - оригинал NexperiaBC846B транзистор (NPN, 65В, 0.2А, 0.3Вт, SOT-23) - оригинал NexperiaBC846B транзистор (NPN, 65В, 0.2А, 0.3Вт, SOT-23) - оригинал Nexperia
 2BC846B транзистор (NPN, 65В, 0.2А, 0.3Вт, SOT-23) - оригинал NexperiaОригинальное наименование:BC846 series 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsГод выпуска:2004/2019Тип упаковки:лента, намотанная на бабинуКоличество в упаковке:3000 штук на одной бобинеОригинал:Да
В наличии
- 8570 шт.
Артикул: 2421-19
3,50 ₽
IRFP260M - N-канальный полевой транзистор (200В, 50А, TO-247) - оригинал IR/InfineonIRFP260M - N-канальный полевой транзистор (200В, 50А, TO-247) - оригинал IR/InfineonIRFP260M - N-канальный полевой транзистор (200В, 50А, TO-247) - оригинал IR/InfineonIRFP260M - N-канальный полевой транзистор (200В, 50А, TO-247) - оригинал IR/Infineon
IRFP260M - N-канальный полевой транзистор (200В, 50А, TO-247) - оригинал IR/InfineonГод выпуска:2022 г.в.Количество в упаковке:по 25 штук в пластиковой рейке, по 400 штук в заводской коробкеОригинал:ДаПроизводитель:Infineon Technologies AGСостояние:Новый
В наличии
- 174 шт.
Артикул: 30997
197 ₽
2SA1943 - биполярный PNP транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал Toshiba2SA1943 - биполярный PNP транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал Toshiba2SA1943 - биполярный PNP транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал Toshiba
 22SA1943 - биполярный PNP транзистор (230В, 15А, 2-21F1A) - оригинал ToshibaПроизводитель:ToshibaОригинал:ДаГод выпуска:2021Состояние:НовыйТип упаковки:Пластиковые антистатические рейки
В наличии
- 9 шт.
Артикул: 30846
226 ₽
FGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - Китай
FGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - Китай
В наличии
- 158 шт.
Артикул: 100846
162 ₽
IHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал Infineon
 3IHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonПолное наименование:IHW20N135R5 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diodeПроизводитель:Infineon Technologies AGPart Number:IHW20N135R5Оригинал:ДаГод выпуска:2024
В наличии
- 428 шт.
Артикул: 10022505
273 ₽
RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал RenesasRJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал RenesasRJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал Renesas
 20RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал RenesasПроизводитель:RenesasPart Number:RJH60F5Product Specifications No:RJH60F5DPQОригинальное наименование:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching RJH60F5DPQ-A0Страна производитель:Made in China Производственные линии ON Semiconductor в Китае и Малайзии
В наличии
- 234 шт.
Артикул: 10001112
327 ₽
STGW60V60DF - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247) - Оригинал ST MicroelectronicsSTGW60V60DF - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247) - Оригинал ST Microelectronics
 3STGW60V60DF - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247) - Оригинал ST MicroelectronicsПроизводитель:STMicroelectronicsОригинал:ДаГод выпуска:2019Состояние:НовыйТип упаковки:пластиковая антистатичная рейка
В наличии
- 796 шт.
Артикул: 10002519
545 ₽
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.