FGH60N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 60A, ТО-247) - оригинал ON
IGBT транзисторы FGH60N60SMD производства фирмы ON Semiconductor являются одними из самых популярных. Рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких ампер. В работе важно учитывать высокую частоту переключений, что позволяет уменьшить размеры трансформаторов. Одно из главных требований: стойкость к короткому замыканию.
Мощный гибрид IGBT (Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором) создан при совмещении структуры биполярного и полевого транзисторов.
IGBT транзистор FGH60N60SMD имеет встроенный быстродействующий диод.
Область применения – инверторные сварочные аппараты, стабилизаторы, мощные системы управления и коммутации.
Краткие характеристики
- Полное наименование: FGH60N60SMD IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 120 Ампер при Тс=25°C (60 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 600 Ватт Тс=25°C (300 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: TO-247
В прилагаемом datasheet последней ревизии на транзисторы FGH60N60SMD (предоставлен компанией ON Semi) имеются более подробные характеристики - ссылка на документ расположена внизу текущей страницы.
Распиновка и внешний вид
На рисунке №1 приведено реальное изображение оригинальных транзисторов текущей партии.
Рис. №1 Реальное изображение оригинальных транзисторов FGH60N60SMD текущей партии
Рис. 2 Назначение выводов БТИЗ транзистора FGH60N60SMD
Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGH60N60SMD
Гарантии
IGBT транзисторы FGH60N60SMD закупаются в составе крупнооптовых заказов для производственных сборочных линий напрямую от производителя. Поставка производится в запечатанных заводских упаковках. Видеозаписи вскрытия заводских упаковок выкладываются на нашем youtube-канале – ссылка на него дана внизу страницы.
Оптовые поставки
При оптовых покупках IGBT транзисторов FGH60N60SMD оптом у нас имеются автоматические скидки. А для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования на оптовую покупку IGBT транзисторов FGH60N60SMD у нас самые выгодные цены.
За 10 лет работы мы вышли на прямые поставки от производителей и рады предоставить нашим клиентам такие условия. Окончательные цены с каждым клиентом мы обсуждаем индивидуально.
За многолетние продажи у нас не было ни одного возврата, все модели работают исправно.
Доставка
Отправка транзисторов FGH60N60SMD производится в любой город России. Время доставки: от 2 до 7 рабочих дней для срочных заказов и от 5 до 10 дней для обычных.
До четырех транзисторов могут быть отправлены заказной бандеролью стоимостью от 90 руб. Для отправки формируется специальная конструкция: в пластиковый пакет Почты России помещается картонная книжка, внутри которой герметичный пакето с транзисторами. Имеется трек-номер для отслеживания местоположения.
Отправка транзисторов от 10 штук осуществляется в распиленных пластиковых рейках, помещенных в толстые картонные коробки. На коробку наклеивается адресный ярлык.
Отправка оптовых заказов в количестве от 450 штук (одна заводская коробка) производится в промышленной упаковке без вскрытия (заводская пломба не нарушается). Если покупатель хочет, вскрытие производится – в этом случае отправляется фото погрузки (после поступления оплаты).
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FGH60N60SMD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в пластиковой рейке, 450 штук в коробке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 4 |
Примечание | Первый ряд боксов "IGBT" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 60 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 120 А при Tc = 25 °C и 60 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 120 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 600 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 300 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.9 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.5 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 60 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.25 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 180 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 189 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; VCE = 400 В; IC = 60 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 2915 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3.5 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 6 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VGE = VCE; IC = 250 мкА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
STTH60P03SW - сверхбыстрый мощный диод (300В, 60А, TO-247) - оригинал STM
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай
IRF3205PBF - N-канальный MOSFET транзистор (55В, ток корпуса до 75А, ТО-220) - оригинал Infineon
