FGL60N100BNTD - мощный IGBT транзистор (1000В, 60А при Tc=25°C, 42А при Tc=100°C, TO-264-3, G60N100) - оригинал ON/Fairchild
Мощные IGBT(БТИЗ) транзисторы FGL60N100BNTD в корпусе TO-264 3L. Рассчитаны на напряжение до 1000 Вольт и на максимальный ток до 60 Ампер.
Свойства биполярных и полевых транзисторов совмещены в IGBT транзисторах.
Краткие характеристики
- Полное наименование: FGL60N100BNTD IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1000 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 60 Ампер при Тс=25°C (42 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 180 Ватт при Тс=25°C (72 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-264 3L
В datasheet данной модели БТИЗ транзисторов FGL60N100BNTD изложены более подробные характеристики.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Внешний вид текущей партии FGL60N100BNTD
Рис.№2 Назначение выводов IGBT транзистора FGL60N100BNTD
Рис.№3 Типовые размеры и форма корпуса IGBT транзисторов FGL60N100BNTD
Гарантии
В запечатанных заводских коробках закупаются напрямую с производственных линий оригинальные IGBT транзисторы FGL60N100BNTD. На нашем youtube-канале публикуются видеозаписи вскрытия упаковок.
Оптовые поставки
Автоматические скидки ожидают оптовых покупателей оригинальных IGBT транзисторов FGL60N100BNTD. У нас самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Мы закупаем транзисторы напрямую с производственных линий и это позволяет нам формировать выгодные предложения. Большие закупки на протяжении более 10 лет вывели нас на этот уровень.
Оптовая поставка входит в состав каждого ежемесячного контейнера. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.
Доставка
Мы доставляем оригинальные IGBT транзисторы FGL60N100BNTD по всей России, заказ возможен в любой город. Для отправки вы можете выбрать любую транспортную компанию, в том числе и Почту России.
Время ожидания срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней, обычного – от 5 до 10 дней.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-264 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FGL60N100BNTD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2019+ |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 25 штук в рейке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 15 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Подписанная сота IGBT на стеллаже в первом помещении "Б-15" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1000 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 42 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 60 А при Tc = 25 °C и 42 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 60 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 180 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 72 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -25 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 25 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2.5 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.9 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 60 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.69 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 200 А |
Условия импульсного тока коллектора | Tc = 25 °C; длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 275 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 600 В; VGE = 15 В; IC = 60 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 6000 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 10 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VCE = VGE; IC = 60 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
