Производитель: ON Semiconductor
Россия
Украина
Описание
Мощные БТИЗ транзисторы производства фирмы Fairchild. Благодаря закупкам у официального представителя мы 100% уверены в оригинальности транзисторов.
Характеристики
| Общая информация | |
| Полное наименование | IGBT транзистор FGH60N60SFDTU |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Part Number | FGH60N60SFD |
| Product Specifications No | FGH60N60SFDTU |
| Страна производитель |  Производственные линии ON Semiconductor в Китае |
| Оригинал | Да |
| Год выпуска | 2016 (первая партия), 2017 (вторая) |
| Состояние | Новый |
| Тип упаковки | Линейки, короб |
| Количество в упаковке | по 30 шт. в линейке, 15 линеек в коробе (всего 450 шт.) |
| Основные параметры | |
| Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
| Функциональная категория | Силовые ключи |
| Особенности | встроенный диод |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Маркировка на корпусе | FGH60N60SFD |
| Технические характеристики | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 Вольт |
| Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | ±20 Вольт |
| Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C | 180 Ампер |
| Ток коллектора (Ic) при T=25°C | 120 Ампер |
| Ток коллектора (Ic) при T=100°C | 80 Ампер |
| Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C | 378 Ватт |
| Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=100°C | 151 Ватт |
| Условия эксплуатации | |
| Рекомендации для пайки | 300°С не более 5 сек. |
| Температура эксплуатации | -55°С...+150°С |
| Температура хранения | -55°С...+150°С |
| Максимальная влажность | 85% |
| Вес и габариты | |
| Длина | 16.6 мм |
| Ширина | 4.7 мм |
| Высота | 36 мм |
| Вес изделия | 7 г |
| Местоположение на складах: | |
| В России | |
| В Китае |
