FGH60N60SFD

5.001
Производитель:   ON Semiconductor
Артикул: РДБТИЗ-00002
Информация по состоянию на: 16 ноября 2018 г.
Склад в России (КРД): В наличии 10 шт.
Склад в Китае (SZ): В наличии 4000 шт.
Продано: 238 шт.
220 Р
Цена со скидкой при покупке указанного количества

Описание

Мощные БТИЗ транзисторы производства фирмы Fairchild. Благодаря закупкам у официального представителя мы 100% уверены в оригинальности транзисторов.

Характеристики

Общая информация
Полное наименованиеIGBT транзистор FGH60N60SFDTU
ПроизводительON Semiconductor
Part NumberFGH60N60SFD
Product Specifications NoFGH60N60SFDTU
Страна производительMade in China Производственные линии ON Semiconductor в Китае
ОригиналДа
Год выпуска2016 (первая партия), 2017 (вторая)
СостояниеНовый
Тип упаковкиЛинейки, короб
Количество в упаковкепо 30 шт. в линейке, 15 линеек в коробе (всего 450 шт.)
Основные параметры
Тип транзистораIGBT (БТИЗ)
Функциональная категорияСиловые ключи
Особенностивстроенный диод
Тип корпусаTO-247
Маркировка на корпусеFGH60N60SFD
Технические характеристики
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces)600 Вольт
Напряжение затвор-эмиттер (Vges)±20 Вольт
Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C180 Ампер
Ток коллектора (Ic) при T=25°C120 Ампер
Ток коллектора (Ic) при T=100°C80 Ампер
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C378 Ватт
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=100°C151 Ватт
Условия эксплуатации
Рекомендации для пайки300°С не более 5 сек.
Температура эксплуатации-55°С...+150°С
Температура хранения-55°С...+150°С
Максимальная влажность85%
Вес и габариты
Длина16.6 мм
Ширина4.7 мм
Высота36 мм
Вес изделия7 г
Местоположение на складах:
В России
В Китае

Отзывы посетителей(1)

Наверх