Доставка под заказ по оптовым ценам напрямую от производителей
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Реле
Микрокомпьютеры
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Кабели, шлейфы, провода
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Ферриты
Расходные материалы
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Доставка под заказ по оптовым ценам напрямую от производителей

FGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON Semi

4.76
Поделиться
Бренд:
ON Semiconductor
100% оригинальные IGBT транзисторы для мощных инверторных сварочных аппаратов, блоков питания и стабилизаторов сети.
Информация от: 24 апреля 2024 г.
Артикул: 1092-20
Нет в наличии
Продано: 2087 шт.
355
Оптовые скидки:
От 10 шт 337 руб.
От 100 шт 319 руб.
От 1000 шт 284 руб.
Описание

IGBT транзисторы FGH60N60SFD производства фирмы Fairchild. Так как в 2017 году компания ON Semiconductor выкупила фирму Fairchild, с 2018 года на всех транзисторах присутствует логотип "ON" на месте старого "F".

У нас старые запасы уже распроданы и теперь в продаже только новые транзисторы с лейблом ON.

 IGBT транзисторы FGH60N60SFD рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких ампер. Необходимо учитывать высокую частоту переключений, что позволяет уменьшить размеры трансформаторов. Одно из основных требований: стойкость к короткому замыканию.

IGBT транзисторы расшифровываются как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Являются гибридом, созданным при совмещении структуры биполярного и полевого транзисторов. Имеют встроенный быстродействующий диод.

Применяются в инверторных сварочных аппаратах, стабилизаторах, мощных системах управления и коммутации.

Краткие характеристики

  • Полное наименование: FGH60N60SFD IGBT транзистор
  • Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
  • Максимальный ток коллектора IC: 120 Ампер при Тс=25°C (60 Ампер при Тс=100°C)
  • Максимальная мощность: 378 Ватт Тс=25°C (151 Ватт при Тс=100°C)
  • Максимальная температура: 150°C
  • Тип корпуса: TO-247

В последней ревизии datasheet на транзисторы FGH60N60SFD (предоставлен компанией ON Semi) изложены более подробные характеристики.

Распиновка и внешний вид

На рисунке №1 приведено настоящее изображение оригинальных транзисторов текущей партии.

Рис. №1 Настоящее изображение оригинальных транзисторов FGH60N60SFD текущей партии

Рис. 2 Назначение выводов БТИЗ транзистора FGH60N60SFD

Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGH60N60SFD

Гарантии

IGBT транзисторы FGH60N60SFD поставляются напрямую от производителя в запечатанных заводских упаковках в составе крупнооптовых заказов для производственных сборочных линий. Процесс вскрытия заводских упаковок снимается на видео и выкладывается на наш youtube-канал.

Оптовые поставки

Покупать оптом IGBT транзисторы FGH60N60SFD в Радиодаре выгодно. Для оптовых покупателей у нас имеются автоматические скидки. А для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования у нас самые выгодные потовые цены.

Такие оптовые цены и скидки мы предоставляем, благодаря прямым поставкам от производителей. На этот уровень мы вышли за работы 10 лет, в течении которых мы делали большие покупки.

Окончательные цены с клиентами обсуждаются индивидуально.

Доставка

Доставка транзисторов FGH60N60SFD производится в любой город России. Время ожидания от 2 до 7 рабочих дней для срочных заказов и от 5 до 10 дней для обычных.

Для отправки можно выбрать любую транспортную компанию, включая Почту России.

Характеристики
Общая информация
Особенности
встроенный диод
Маркировка на корпусе
FGH60N60SFD
Функциональная категория
Силовые ключи
Страна производитель
Made in China Производственные линии ON Semiconductor в Китае
Полное наименование
IGBT транзистор FGH60N60SFDTU
Год выпуска
2020-2021
Тип упаковки
Линейки, короб
Количество в упаковке
по 30 шт. в линейке, 15 линеек в коробе (всего 450 шт.)
Оригинал
Да
Производитель
ON Semiconductor
Part Number
FGH60N60SFD
Product Specifications No
FGH60N60SFDTU
Температура хранения
-55°С...+150°С
Максимальная влажность
85%
Состояние
Новый
Условия эксплуатации
Температура эксплуатации
-55°С...+150°С
Рекомендации для пайки
300°С не более 5 сек.
Вес и габариты
Длина
16.6 мм
Высота
36 мм
Вес изделия
7 г
Ширина
4.7 мм
В России
Город:
Краснодар
Помещение №
2
Стеллаж №
1
Полка №
3
Примечание
Родной короб "FGH60N60SFD"
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces)
600 Вольт
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=100°C
151 Ватт
Вес
шт
Тип транзистора
IGBT (БТИЗ)
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C
378 Ватт
Тип корпуса диода
TO-247
Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C
180 Ампер
Напряжение затвор-эмиттер (Vges)
±20 Вольт
Ток коллектора (Ic) при T=100°C
80 Ампер
Ток коллектора (Ic) при T=25°C
120 Ампер
Отзывы

Loading...
Обсуждение
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.