FGP15N60UNDF - силовой IGBT NPT (600 В, 15 А, TO-220) - оригинал onsemi
FGP15N60UNDF — силовой IGBT NPT производителя onsemi. Конструкция: одиночный IGBT с управляющим затвором; наличие и тип обратного диода проверяется по datasheet. Напряжение коллектор–эмиттер 600 В. Номинальный токовый класс 15 А (условия температуры и измерения следует проверять по datasheet). Корпус TO-220. Типовое применение: импульсные преобразователи, драйверы электродвигателей и UPS. Паспортный IC при Tc=25 °C 30 А, при Tc=100 °C 15 А; проверять тепловое ограничение. Для подбора замены сравнивают корпус, электрические и тепловые режимы, цоколёвку и коммутационные потери.
Источник: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgp15n60undf-d.pdf
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGP15N60UNDF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2025 |
Тип транзистора | силовой IGBT NPT |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 3 г |
Функциональная характеристика | 600 В; 15 А; TO-220 |
Функциональный тип | одиночный IGBT с управляющим затвором; наличие и тип обратного диода проверяется по datasheet |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | "Б-3" ячейка на стеллаже транзисторов "IGBT" |
Примечание | Динамические, температурные характеристики и вес сверять по datasheet точного P/N. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 15 А |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 30 А |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip
IRFS3607TRLPBF - N-канальный полевой транзистор (75В, 80А, D2-PAK/TO-263) - оригинал Infineon
TDA7850 - 4-канальный усилитель низкой частоты (8-18В, 4*85Вт, 2Ом, Multiwatt-25) - оригинал ST
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
