KGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А при Tc=100°C, 104Вт при Tc=100°C, ТО-247) - оригинал KEC

Оставить отзыв

Бренд:

KEC Semiconductor

Скачать KGF40N65KDC DATASHEET

Характеристики

Тип корпуса:

TO-247

Производитель:

KEC Semiconductor

Part Number:

KGF40N65KDC

Смотреть все

Почта

Самовывоз

Курьер

Бандероль + трек (НЕ СРОЧНО)

Рассчитываем стоимость доставки...

Почта России

Рассчитываем стоимость доставки...

Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)

Рассчитываем стоимость доставки...

ОЗОН - тестовая

Рассчитываем стоимость доставки...

5Post

Рассчитываем стоимость доставки...

КИТ до терминала

Рассчитываем стоимость доставки...

КСЭ - медленно

Рассчитываем стоимость доставки...

СДЭК Курьер

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Информация от: 1 ноября 2026 г.

Артикул: 10100927

На складе (г.Краснодар): 328 шт

Под заказ ( 2 - 4 недели): 18000 шт

Продано: 186 шт.

196 ₽

включая НДС 5%

Количество:

Быстрый заказ в 1 клик

Оптовые скидки:

От 10 шт	186 руб.
От 100 шт	176 руб.
От 1000 шт	157 руб.

Заказ по телефону:+7-900-272-92-92

Характеристики

Нормаупаковка
Тип корпуса	TO-247
Общая информация
Производитель Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру	KEC Semiconductor
Part Number	KGF40N65KDC
Страна производитель	Корея
Оригинал Оригинальность товара характеризует источник поставки: "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки	Да
Год выпуска Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"	2025
Состояние Состояние товара исходя из: Новый Б/У Демонтированный Разборка (какая именно: нового, рабочего с эксплуатации, с неисправного устройства/оборудования)	Новый
Тип упаковки	Пластиковые антистатические рейки
Количество в упаковке	30 штук в рейке
Тип транзистора	IGBT (БТИЗ)
Вес и габариты
Вес изделия	8 г
Расположение на складе
Магазин (на Коммунаров)	Ячейка "IGBT-Г-11" стеллажа "Транзисторы" первого помещения
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.)	650 В
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.)	40 А
Условия характеристики тока	Предельный постоянный ток коллектора: 80 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса.
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.)	80 А
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.)	208 Вт
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.)	104 Вт
Конфигурация транзистора	Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.)	-20 В
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.)	20 В
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.)	1.75 В
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.)	2.3 В
Условия измерения VCE(sat) IGBT	Ta = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 40 А.
Встроенный обратный диод	Есть
Максимальная температура перехода Tj	175 °C
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт	0.72
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.)	120 А
Условия импульсного тока коллектора	Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт.
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл	90
Условия измерения заряда затвора IGBT	VGE = 15 В; VCC = 300 В; IC = 40 А; типовое значение.
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ	2300
Условия измерения входной ёмкости IGBT	VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение.