IKW50N60T - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 50 А, TO-247-3) - Infineon
IKW50N60T — IGBT с обратным диодом Infineon Technologies AG, 600 В, номинальный класс 50 А, корпус TO-247-3. Транзистор TRENCHSTOP IGBT3 с быстрым антипараллельным диодом в корпусе TO-247. По данным Infineon IC до 80 А при Tc=25°C и 50 А при Tc=100°C; типовое напряжение насыщения VCE(sat) 1,5 В. Для силовых инверторов, преобразователей частоты, автономных источников питания и приводной техники. При подборе замены важны потери переключения Eon/Eoff, заряд затвора и характеристики обратного восстановления диода.
Техническая документация производителя: https://www.infineon.com/part/IKW50N60T
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IKW50N60T |
Оригинальное наименование | : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2018 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | пластиковая антистатичная рейка |
Количество в упаковке | 30 шт. в пластиковой рейке, 240 штук в оригинальной коробке |
Тип транзистора | IGBT с обратным диодом |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Тип корпуса диода | TO-247 |
Маркировка на корпусе | K50T60 |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Функциональная характеристика | 600 В, 50 А, TO-247-3 |
Функциональный тип | IGBT с обратным диодом |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | IGBT 4-10, соты в первом помещении |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 1 |
Стеллаж № | 1 |
Примечание | Точные электрические параметры и условия переключения указаны в datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 50 А |
Условия характеристики тока | Предельные значения при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. Допустимый ток зависит от режима и охлаждения. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 80 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 333 Вт |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.5 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 50 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.45 |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
MAX941ESA - аналоговый высокоскоростной компаратор (1 канал, Rail-to-Rail, SO-8) - оригинал Maxim
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
