FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) | Оригинал Fairchild/ON Semi

5.002
Производитель:   ON Semiconductor
Артикул: R882001
Информация по состоянию на: 19 ноября 2018 г.
Склад в России (КРД): В наличии 708 шт.
Склад в Китае (SZ): В наличии 9000 шт.
Продано: 158 шт.
155 Р
Цена со скидкой при покупке указанного количества
Купить в 1 клик

Описание

   Мощные IGBT транзисторы производства фирмы Fairchild (с 2017 года поглощены корпорацией ON Semiconductor). Применяются в широком спектре силового оборудования: инвертерные сварочные аппараты, выпрямители, стабилизаторы, мощные блоки питания и зарядные устройства.

 

   Гарантия надежной работы это 100% оригиналы! При рабочей обвязке работоспособность гарантируется! Встречались случаи неоднократного выхода из строя из-за проблем в схеме - пожалуйста, доверьте ремонт устройства профессиональным мастерам!


В настоящее время встречается огромное количество подделок на IGBT транзисторы. Оригинальный FGH40N60SFD не может стоить дешевле отпускной оптовой цены производителя - 2.1$/шт!

   Мы уверены в наших транзисторах - закупка производится у официального реселлера на протяжении долгого времени (с 2010 года). Величина закупленной партии для промышленного заказчика - 13 тыс штук (в 2016 г.) и 4500 шт (в 2017 г.). Третья закупка произведена в июне 2018 г. (3 коробки по 450 штук в каждой).

В 2017 году компания ON Semiconductor выкупила фирму Fairchild, поэтому все новые оригинальные транзисторы, произведенные после 2017 года, имеют на корпусе логотип "ON" (вместо прежней "F")!

Характеристики

Общая информация
Полное наименованиеIGBT транзистор FGH40N60SFDTU
ПроизводительON Semiconductor
Part NumberFGH40N60SFD
Product Specifications NoFGH40N60SFDTU
Страна производительMade in China Производственные линии ON Semiconductor в Китае
ОригиналДа
Год выпуска2015 (для первой партии), 2017 (вторая партия) и 2018 (третья)
СостояниеНовый
Тип упаковкиЛинейки, короб
Количество в упаковкепо 30 шт. в линейке, 15 линеек в коробе (всего 450 шт.)
Основные параметры
Тип транзистораIGBT (БТИЗ)
Функциональная категорияСиловые ключи
Особенностивстроенный диод
Тип корпусаTO-247
Маркировка на корпусеFGH40N60SFD
Технические характеристики
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces)600 Вольт
Напряжение затвор-эмиттер (Vges)± 20 Вольт
Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C120 Ампер
Ток коллектора (Ic) при T=25°C80 Ампер
Ток коллектора (Ic) при T=100°C40 Ампер
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C290 Ватт
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=100°C116 Ватт
Условия эксплуатации
Рекомендации для пайки300°С не более 5 сек.
Температура эксплуатации-55°С...+150°С
Температура хранения-55°С...+150°С
Максимальная влажность85%
Вес и габариты
Длина4.7 мм
Ширина15.6 мм
Высота36 мм
Вес изделия7 г
Местоположение на складах:
В России
В Китае

Отзывы посетителей(2)

Ссылки

Наверх